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J-GLOBAL ID：201202214280092522   整理番号：12A1485747

低損失・高動的丈夫さに対する600Vへ向けての高速回復ダイオードに及ぼすRFC技術の大きな影響

Great Impact of RFC Technology on Fast Recovery Diode towards 600V for Low Loss and High Dynamic Ruggedness

著者 (4件)： MASUOKA Fumihito (Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka, JPN) ,  NAKAMURA Katsumi (Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka, JPN) ,  NISHII Akito (Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka, JPN) ,  TERASHIMA Tomohide (Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka, JPN)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 24th  ページ： 373-376  発行年： 2012年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フリーホイーリングダイオード(FWD)の高速回復動作において,電圧サージ「スナップオフ」を低減するために,600V~1700Vの範囲でRFC(Relaxed Field of Cathode)-平面陽極ダイオードを提案した。RFC効果はpinダイオードとpnpトランジスタの並列接続で記述される。提案したRFCダイオードは全電圧範囲において次世代のSi FWDとして大きな可能性を有している。

シソーラス用語： 限界 ,  *ダイオード ,  PINダイオード ,  電界強度 ,  分布 ,  インダクタンス ,  電流電圧特性 ,  シミュレーション ,  電圧 ,  数値解析 ,  エネルギー密度
準シソーラス用語： SOA ,  キャリア分布 ,  寄生インダクタンス ,  数値シミュレーション ,  サージ電圧 ,  電力密度

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (4件)： 低損失 ,  回復 ,  ダイオード ,  RFC