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J-GLOBAL ID：201202214302109645   整理番号：12A1101693

単および多結晶シリコンの研磨とエッチングへのアルカリpHの効果

Effect of Alkaline pH on Polishing and Etching of Single and Polycrystalline Silicon

著者 (5件)： VENKATESH R. Prasanna (Hanyang Univ., Gyeonggi, KOR) ,  PRASAD Y. Nagendra (Hanyang Univ., Gyeonggi, KOR) ,  KWON Tae-Young (Hanyang Univ., Gyeonggi, KOR) ,  KANG Young-Jae (Hanyang Univ., Gyeonggi, KOR) ,  PARK Jin-Goo (Hanyang Univ., Gyeonggi, KOR)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 7,Issue 1  ページ： 071301.1-071301.6  発行年： 2012年07月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この論文で,単および多結晶シリコンの研磨とエッチング挙動を研究した。化学機械研磨(CMP)プロセスの前に,天然の酸化物を除去するために表面を希釈フッ化水素酸(DHF)で処理した。表面解析は,多結晶がDHF処理後でさえ痕跡量の酸素を含むことを示した。静的と動的エッチ速度と除去速度を,スラリーpHの関数として測った。単結晶シリコンは多結晶よりより高い静的エッチ速度を示した。静的エッチ速度測定の後,多結晶はより高い表面粗度とより多くの親水性を示し,多結晶の表面が単結晶シリコンと異なることを示した。研磨プロセスをより良く理解するために研磨の間のpHの関数としてパッドと基板とパッド温度の間の摩擦力も測った。研究した全てのpH値で,多結晶はより低いダイナミックおよび除去速度,より高い摩擦力とより高い温度を示した。これは, CMPでの多結晶の除去が機械的作用が主であることを示唆した。また,これらの結果は,多結晶グレーン境界に存在する酸素が強くエッチングと除去メカニズムに影響するメカニズムを示唆した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 単結晶 ,  多結晶 ,  *ケイ素 ,  *研磨 ,  *エッチング ,  pH【水素イオン指数】 ,  フッ化水素 ,  処理 ,  粗度 ,  親水性

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (30件)：

• 1) W. Li, D. W. Shin, M. Tomozawa, and S. P. Murarka: Thin Solid Films 270 (1995) 601.
• 2) Y. K. Hong, Y. J. Kang, J. G. Park, S. Y. Han, S. K. Yun, B. U. Yoon, and C. K Hong: Solid State Phenom. 134 (2008) 159.
• 3) D. S. Lim, J. W. Ahn, H. S. Park, and J. H. Shin: Surf. Coatings Technol. 200 (2005) 1751.
• 4) Y. Li: Microelectronic Applications of Chemical Mechanical Planarization (Wiley, New York, 2008).
• 5) W. L. C. M. Heyboer, G. A. C. M. Spierings, and J. E. A. M. Van den Meerakker: J. Electrochem. Soc. 138 (1991) 774.

タイトルに関連する用語 (5件)： 多結晶シリコン ,  研磨 ,  エッチング ,  アルカリ ,  pH