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J-GLOBAL ID：201202214536266442   整理番号：12A0611463

SiN_xによるシリコン寿命の延長:SiH₄とN₂反応ガスを使った,PECVDにより退位したH反射防止膜

Silicon lifetime enhancement by SiN _x :H anti-reflective coating deposed by PECVD using SiH₄ and N₂ reactive gas

著者 (6件)： BOUSBIH Rabaa (Lab. de Photovoltaieque, Centre de Rech. et des Technologies de l’Energie, PB: 95, Hammam Lif 2050, Tunisia) ,  DIMASSI Wissem (Lab. de Photovoltaieque, Centre de Rech. et des Technologies de l’Energie, PB: 95, Hammam Lif 2050, Tunisia) ,  HADDADI Ikbel (Lab. de Photovoltaieque, Centre de Rech. et des Technologies de l’Energie, PB: 95, Hammam Lif 2050, Tunisia) ,  BEN SLEMA Sonia (Lab. de Photovoltaieque, Centre de Rech. et des Technologies de l’Energie, PB: 95, Hammam Lif 2050, Tunisia) ,  RAVA Paolo (Lab. de Photovoltaieque, Centre de Rech. et des Technologies de l’Energie, PB: 95, Hammam Lif 2050, Tunisia) ,  EZZAOUIA Hatem (Lab. de Photovoltaieque, Centre de Rech. et des Technologies de l’Energie, PB: 95, Hammam Lif 2050, Tunisia)
資料名： Solar Energy  (Solar Energy)
巻： 86  号： 5  ページ： 1300-1305  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： E0099A  ISSN： 0038-092X  CODEN： SRENA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン窒化物の水素化膜SiN_x:Hは主に反射防止膜と産業結晶と多結晶シリコン太陽電池の保護層として使われる。この研究では,SiH₄とN₂反応ガスを使った,この薄い層の低コストのプラズマ強化化学的蒸着法(PECVD)について述べる。シラン(SiH₄のN₂に対する比の変動効果と,化学組成,形態,反射性,キャリア寿命に対する時間沈着について研究を行った。一様な反射防止層を得るために,厚さを変えた。フーリエ変換赤外線分光法(FTIR)は,Si-NとSi-H結合の存在を示す。サンプルの形態は原子間力顕微鏡(AFM)により研究した。結果するSiN_x:Hの表面は,400-1200nmの波長範囲で5%以下の低反射性を示す。結果として,マイノリティキャリアの約15μsへの寿命改善が達成された。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *太陽電池 ,  ポリシリコン ,  *原子間力顕微鏡 ,  反射防止膜 ,  *窒化ケイ素 ,  *プラズマCVD ,  *キャリア寿命 ,  FTIR分光法
準シソーラス用語： シリコン太陽電池 ,  多結晶シリコン ,  シリコン窒化物 ,  PECVD ,  Fourier変換赤外分光法

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： シリコン ,  寿命 ,  SiH4 ,  N2 ,  反応ガス ,  PECVD ,  反射防止膜