表面再配列の制御エピタキシーによって成長したInSb膜の電気特性に対するInSb二重層調製における初期In被覆の効果

MORI Masayuki; YASUI Yuichiro; NAKAYAMA Koji; NAKATANI Kimihiko; MAEZAWA Koichi

文献

J-GLOBAL ID：201202214537150367 整理番号：12A0495391

表面再配列の制御エピタキシーによって成長したInSb膜の電気特性に対するInSb二重層調製における初期In被覆の効果

Effects of Initial In Coverage for Preparation of InSb Bilayer on Electrical Properties of InSb Films Grown By Surface Reconstruction Controlled Epitaxy

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資料名：
巻： 51 号： 2,Issue 2 ページ： 02BH03.1-02BH03.4 発行年： 2012年02月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

著者は,表面再配列の制御エピタキシーによって成長したInSb膜の電気特性に対するInSb二重層の生成における初期In被覆の効果を調査した。InSb膜の電子移動度は,Si(111)表面上のIn誘発型表面再配列の初期In被覆によって影響を受けた。最大1.5原子層(ML)までの初期In被覆の増加に従って,電子移動度は増加して,更なるIn被覆の増加に従って,電子移動度は減少した。1.5MLの最適の初期In被覆で成長したInSb膜は,約40,000cm²/(V?s)の高い電子移動度を室温で有する。これは,膜中に転位を発生させるInSb二重層の生成後の表面上の2×1-Sb表面相もしくはIn島構造の減少のためと推察できる。したがって,その後のInSb分子線エピタキシー(MBE)成長前の一様なInSb/Si界面形成に,Si-Sb-Inでの原子面の規則化の完全性は非常に重要です。(翻訳著者抄録)

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半導体薄膜

引用文献 (24件)：

1) S. Datta, T. Ashley, J. Breask, L. Buckle, M. Doczy, M. Emeny, D. Hayes, K. Hilton, R. Jefferies, T. Martin, T. J. Phillips, D. Wallis, P. Wilding, and R. Chau: IEDM Tech. Dig., 2005, p. 763.
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