文献

J-GLOBAL ID：201202214730665323   整理番号：12A0962640

硫化法によって調合されたCu₂ZnSnS₄フィルムの光学的及び電気的性質

Optical and Electrical Properties of Cu₂ZnSnS₄ Film Prepared by Sulfurization Method

著者 (3件)： JIANG Feng (Nanjing Univ. of Aeronautics and Astronautics, Coll. of Materials Sci. and Technol., 29 Yudao Street, 210016 ...) ,  SHEN Honglie (Nanjing Univ. of Aeronautics and Astronautics, Coll. of Materials Sci. and Technol., 29 Yudao Street, 210016 ...) ,  WANG Wei (Nanjing Univ. of Aeronautics and Astronautics, Coll. of Materials Sci. and Technol., 29 Yudao Street, 210016 ...)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 41  号： 8  ページ： 2204-2209  発行年： 2012年08月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu₂ZnSnS₄フィルムを,スパッタリングされたZn/Sn/Cu多層薄膜の硫化で調合した。ラマンピーク251cm^-1,289cm^-1,336cm^-1,及び362cm^-1を検出し,CZTSの光学的バンドギャップエネルギーを約1.53eVになると推定した。エネルギー分散型分光分析とX線光電子分光法で,調合したCZTSフィルムの組成比は,化学量論に近いことを明らかにした。光電流応答測定は,持続性の光伝動効果を示し,崩壊定数τとβはそれぞれ,5.04と0.269であった。Copyright 2012 TMS Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *硫化 ,  *光学的性質 ,  *電気的性質 ,  スズ化合物 ,  亜鉛化合物 ,  化合物半導体 ,  銅化合物 ,  硫化物 ,  エネルギー ,  *分光分析 ,  X線光電子分光法 ,  化学量論 ,  崩壊定数 ,  Raman強度 ,  *バンドギャップエネルギー ,  *硫化ケステライト
準シソーラス用語： *CZTS ,  フィルム ,  ラマンピーク

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 硫化 ,  調合 ,  Cu2ZnSnS4 ,  フィルム ,  光学 ,  電気的性質