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J-GLOBAL ID:201202214730665323   整理番号:12A0962640

硫化法によって調合されたCu2ZnSnS4フィルムの光学的及び電気的性質

Optical and Electrical Properties of Cu2ZnSnS4 Film Prepared by Sulfurization Method
著者 (3件):
資料名:
巻: 41  号:ページ: 2204-2209  発行年: 2012年08月 
JST資料番号: D0277B  ISSN: 0361-5235  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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Cu2ZnSnS4フィルムを,スパッタリングされたZn/Sn/Cu多層薄膜の硫化で調合した。ラマンピーク251cm-1,289cm-1,336cm-1,及び362cm-1を検出し,CZTSの光学的バンドギャップエネルギーを約1.53eVになると推定した。エネルギー分散型分光分析とX線光電子分光法で,調合したCZTSフィルムの組成比は,化学量論に近いことを明らかにした。光電流応答測定は,持続性の光伝動効果を示し,崩壊定数τとβはそれぞれ,5.04と0.269であった。Copyright 2012 TMS Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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太陽電池 

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