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J-GLOBAL ID：201202215554145632   整理番号：12A0620234

二層グラフェン光変調器

Double-Layer Graphene Optical Modulator

著者 (4件)： LIU Ming (Univ. California at Berkeley, California, USA) ,  YIN Xiaobo (Univ. California at Berkeley, California, USA) ,  ZHANG Xiang (Univ. California at Berkeley, California, USA) ,  ZHANG Xiang (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 12  号： 3  ページ： 1482-1485  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SOI基板のRIEにより2個のグレーティング結合器を連結するケイ素導波路を作製した。金蒸着,グラフェン活性層,酸化アルミニウム隔離層,第二グラフェン層の積層によりp-酸化物-n型光変調器を作製した。1GHz,5V駆動による変調深さは0.16dB/μmであった。グラフェンがDirac点近傍で対称なバンド構造をもつのでケイ素光素子に比べて光損失が小さく,小サイズで低い挿入損失が特徴である。

シソーラス用語： *炭素材 ,  *光変調素子 ,  SOI構造 ,  RIE【エッチング】 ,  ウエハ【IC】 ,  導波路 ,  金 ,  蒸着 ,  酸化アルミニウム ,  PIN接合 ,  バンド構造 ,  損失 ,  伝送損失 ,  挿入損 ,  *積層構造 ,  *グラフェン ,  Dirac点 ,  光損失 ,  積層 ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： ケイ素基板 ,  光変調器 ,  挿入損失

分類 (3件)： 光変調器  (BD06020W) ,  固-固界面  (CB12060M) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (2件)： 二層グラフェン ,  光変調器