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J-GLOBAL ID：201202215825771950   整理番号：12A0728097

歪Si_1-xGe_xバッファ層上に成長した自己集合SiGeナノアイランドの横方向整列の効果

Effects of the lateral ordering of self-assembled SiGe nanoislands grown on strained Si_{1 - x}Ge_x buffer layers

著者 (9件)： STRELCHUK V. V. (National Acad. of Sciences of Ukraine, V. Lashkaryov Inst. of Semiconductor Physics, 03028, Kyiv, UKR) ,  NIKOLENKO A. S. (National Acad. of Sciences of Ukraine, V. Lashkaryov Inst. of Semiconductor Physics, 03028, Kyiv, UKR) ,  LYTVYN P. M. (National Acad. of Sciences of Ukraine, V. Lashkaryov Inst. of Semiconductor Physics, 03028, Kyiv, UKR) ,  KLADKO V. P. (National Acad. of Sciences of Ukraine, V. Lashkaryov Inst. of Semiconductor Physics, 03028, Kyiv, UKR) ,  GUDYMENKO A. I. (National Acad. of Sciences of Ukraine, V. Lashkaryov Inst. of Semiconductor Physics, 03028, Kyiv, UKR) ,  VALAKH M. Ya. (National Acad. of Sciences of Ukraine, V. Lashkaryov Inst. of Semiconductor Physics, 03028, Kyiv, UKR) ,  KRASILNIK Z. F. (Russian Acad. of Sciences, Inst. for Physics of Microstructures, 603950, Nizhni Novgorod, RUS) ,  LOBANOV D. N. (Russian Acad. of Sciences, Inst. for Physics of Microstructures, 603950, Nizhni Novgorod, RUS) ,  NOVIKOV A. V. (Russian Acad. of Sciences, Inst. for Physics of Microstructures, 603950, Nizhni Novgorod, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 46  号： 5  ページ： 647-654  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子間力顕微鏡,顕微Raman分光及び高分解能X線回折を適用して,歪Si_1-xGe_xバッファ層上に成長した単分子層SiGeナノアイランドの横方向整列を調べた。バッファ層の表面は粗いので拡散が抑えられ,アイランドのサイズ分散が減る。アイランドが高い密度で形成すると隣接するもの同士の間の歪場が整列を促進することが期待できる。ナノアイランドの空間秩序の刺激の点はおくとして,歪Si_1-xGe_x下層の導入は相互拡散過程の増強の役を果たした。エピタクシー過程の間の異常に高いアイランド体積の増加はバッファ層からアイランドへの異常に強い拡散と関連しているが,それを誘導したのは弾性歪の不均一場である。アイランドの形と空間秩序の異方性を,弾性歪の空間的不均一場中の拡散過程の異方性の視点から議論した。Copyright 2012 Pleiades Publishing, Ltd. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 半導体材料 ,  *ナノ構造 ,  *島状構造 ,  *バッファ層 ,  分散【variance】 ,  歪場 ,  *相互拡散 ,  *エピタクシー ,  不均一性 ,  異方性 ,  *歪 ,  *ケイ素合金 ,  ゲルマニウム含有合金 ,  原子間力顕微鏡 ,  顕微Raman分光法 ,  X線回折 ,  自己集合 ,  単分子層 ,  *規則度
準シソーラス用語： *ナノアイランド ,  *弾性歪 ,  秩序構造

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  固体中の拡散一般  (BL06021L)

タイトルに関連する用語 (8件)： 歪 ,  バッファ層 ,  成長 ,  自己集合 ,  SiGe ,  ナノアイランド ,  横方向 ,  整列