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J-GLOBAL ID：201202216158539241   整理番号：12A0721786

ミリ波CMOS回路設計のための接触位置のミスアラインメントを考慮したL-2Lで方法の評価

Evaluation of L-2L De-Embedding Method Considering Misalignment of Contact Position for Millimeter-Wave CMOS Circuit Design

著者 (4件)： BU Qinghong (Dep. of Physical Electronics, Tokyo Inst. of Technol.) ,  LI Ning (Dep. of Physical Electronics, Tokyo Inst. of Technol.) ,  OKADA Kenichi (Dep. of Physical Electronics, Tokyo Inst. of Technol.) ,  MATSUZAWA Akira (Dep. of Physical Electronics, Tokyo Inst. of Technol.)
資料名： IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)  (IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： E95-C  号： 5  ページ： 942-948 (J-STAGE)  発行年： 2012年 
JST資料番号： L1370A  ISSN： 0916-8524  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この報告書は接触位置のミスアラインメントでのL-2Lデエンベディング方法の評価を提示する。接触位置のミスアラインメントの問題が調査される。L-2Lデエンベディング手続きにおけるミスアラインメントの分析が実行される。2つの比較が,L-2Lデエンベディング方法の誤差について確かめるために行われる。伝送路のQファクタの計算誤差百分率は9.0%までになる。一方,トランジスタSパラメータ誤差割合が実験結果で60GHzで21%までになる。結果は,接触位置のミスアラインメントによって引き起こされた計測誤差が,慎重に考慮されるべきであるのを示している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： マイクロ波集積回路 ,  半導体集積回路 ,  *不整合 ,  誤差 ,  伝送線路 ,  Q値
準シソーラス用語： *ミリ波IC ,  *CMOS回路 ,  ミスアラインメント ,  伝送路 ,  Qファクタ

分類 (2件)： マイクロ波・ミリ波通信  (ND08020W) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (18件)：

• [1] T. Suzuki, Y. Kawano, M. Sato, T. Hirose, and K. Joshin, “60 and 77GHz power amplifiers in standard 90nm CMOS,” IEEE International Solid-State Circuits Conference Digest of Technical Papers, pp.562-563, Feb. 2008.
• [2] B. Razavi, “Design of millimeter-wave CMOS Radio: A tutorial,” IEEE Trans. Circuits Syst., vol.56, no.1, pp.4-16, Jan. 2009.
• [3] A. Matsuzawa, “RF-SoC — Expectations and required conditions,” IEEE Trans. Microw. Theory Tech., vol.50, no.1, pp.245-253, Jan. 2002.
• [4] K. Okada, K. Matsushita, N. Takayama, S. Ito, N. Li, and A. Matsuzawa, “Passive device characterization for 60GHz CMOS power amplifiers,” IEEE Global Symposium on Millimeter Wave, April 2009.
• [5] K. Matsushita, N. Takayama, N. Li, S. Ito, K. Okada, and A. Matsuzawa, “CMOS device modeling for millimeter-wave power amplifiers,” IEEE Radio Frequency Integration Technology, Dec. 2009.

タイトルに関連する用語 (6件)： ミリ波 ,  CMOS回路 ,  設計 ,  接触位置 ,  ミスアラインメント ,  評価