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J-GLOBAL ID:201202216185954161   整理番号:12A1507602

大面積のシリコンウエハ基板上におけるダイヤモンド成長のための回転シーディング法

Spin-seeding approach for diamond growth on large area silicon-wafer substrates
著者 (9件):
資料名:
巻: 209  号:ページ: 1659-1663  発行年: 2012年09月 
JST資料番号: D0774A  ISSN: 1862-6300  CODEN: PSSABA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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直径が100および200mmの大面積シリコンウエハ基板上に,ダイヤモンド薄膜を成長させるための回転シーディング法について報告する。この堆積法では,ナノエレクトロニクス技術におけるレジスト被膜,あるいは回転湿式エッチングやクリーニングと同じように,ウエハを回転させながらシーディングを行う。回転シーディングの特長は,浸漬シーディング法において用いる大きいシーディングタンクに比べて化学的消費量が少ないことである。更に,回転シーディングでは,シーディングコロイド中にウエハを浸す必要がないので,少量で新鮮なダイヤモンド粒子の分散が行われる。回転シーディング法によって,5×1010cm-2までのシーディング密度を持つ均一な層を得ることができた。最も適当なシーディングは水と10%のエタノールの混合液を用いた方法である。このシーディング液によって,ウエハ全域が被膜され,成長後に最も稠密な膜が得られる。本研究で得られたダイヤモンド薄膜に関するRaman分光法から,1332cm-1にダイヤモンドに関する鋭いピークが観測された。今後の研究の目標は,300mmウエハへの回転シーディング,シーディング密度の増大,シーディング前におけるウエハの標準的なクリーニング手順,およびダイヤモンドナノ粒子のデアグロメレーションなどである。
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分類 (1件):
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半導体薄膜 
物質索引 (1件):
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