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J-GLOBAL ID：201202216257170268   整理番号：12A1371022

InGaN/GaN量子井戸ベース発光ダイオード内の局在発光中心における量子閉じ込めStark効果

Quantum-confined stark effect in localized luminescent centers within InGaN/GaN quantum-well based light emitting diodes

著者 (8件)： DE Suman (Dep. of Chemistry, Indian Inst. of Technol. Bombay, Powai, Mumbai 400076, IND) ,  LAYEK Arunasish (Dep. of Chemistry, Indian Inst. of Technol. Bombay, Powai, Mumbai 400076, IND) ,  BHATTACHARYA Sukanya (Dep. of Chemistry, Indian Inst. of Technol. Bombay, Powai, Mumbai 400076, IND) ,  KUMAR DAS Dibyendu (Dep. of Physical Chemistry, Indian Assoc. for the Cultivation of Sci., Jadavpur, Kolkata 700032, IND) ,  KADIR Abdul (Dep. of Condensed Matter Physics and Materials Sci., Tata Inst. of Fundamental Res., Homi Bhaba Road, Mumbai 400005, IND) ,  BHATTACHARYA Arnab (Dep. of Condensed Matter Physics and Materials Sci., Tata Inst. of Fundamental Res., Homi Bhaba Road, Mumbai 400005, IND) ,  DHAR Subhabrata (Dep. of Physics, Indian Inst. of Technol. Bombay, Powai, Mumbai 400076, IND) ,  CHOWDHURY Arindam (Dep. of Chemistry, Indian Inst. of Technol. Bombay, Powai, Mumbai 400076, IND)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 12  ページ： 121919-121919-5  発行年： 2012年09月17日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (In,Ga)Nベース量子井戸(QW)ヘテロ構造内の無秩序誘起ナノ規模ポテンシャルゆらぎにおける分極場(放射性トラップ)の性質は不明瞭なままである。(In,Ga)NベースQWベース発光ダイオード内に自発的に形成される放射性トラップ中心における量子閉じ込めStark効果(QCSE)の程度を観測することにより局所分極場を探測するために,空間分解光ルミネセンス顕微鏡法を利用した。興味深いことに,インジウム組成および界面形態に関連する活性層のゆらぎから生じる,二つの明確な範疇のナノ規模放射性分域が非常に異なる程度のビルトイン分極場をもつことを見出した。インジウムに富む放出中心におけるQCSEの遮蔽は,400meVまでだけの遷移エネルギーの青方偏移をもたらした。この値はIII属窒化物ベース半導体ヘテロ構造に対して以前に報告された値よりも有意に高い。QCSEの程度と局所インジウムモル分率間に相関がないことは,個々の局在中心の寸法,形状そして歪みが,局所分極場を変調するに当たって重要な役割を果たすことを示唆している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *量子井戸 ,  *発光ダイオード ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *窒化ガリウム ,  *インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *量子閉込め ,  *Stark効果 ,  ヘテロ接合 ,  捕獲中心 ,  *光ルミネセンス ,  場 ,  分極 ,  顕微鏡観察 ,  青方偏移
準シソーラス用語： 窒化ガリウムインジウム ,  トラップ中心 ,  局所分極場 ,  光ルミネセンス顕微鏡法

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： InGaN ,  GaN ,  量子井戸 ,  発光ダイオード ,  発光中心 ,  量子閉じ込めStark効果