急速熱アニール後のSi(100)上の薄いエピタキシャルSi<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>層のGe拡散とSi応力変化のマイクロRaman評価

CHANG Chun-Wei; HONG Min-Hao; LEE Wei-Fan; LEE Kuan-Ching; TSENG Li-De; CHEN Yi-Hann; CHUANG Yen; FAN Yu-Ta; UEDA Takeshi; ISHIGAKI Toshikazu; KANG Kitaek; YOO Woo Sik

文献

J-GLOBAL ID：201202216280092118 整理番号：12A0891745

急速熱アニール後のSi(100)上の薄いエピタキシャルSi_1-xGe_x層のGe拡散とSi応力変化のマイクロRaman評価

Micro-Raman characterization of Ge diffusion and Si stress change in thin epitaxial Si_1-xGe_x layers on Si(100) after rapid thermal annealing

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=12A0891745&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=12A0891745&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0987B") }}

著者 (12件)： , , , , , , , , , , ,
資料名：
巻： 27 号： 9 ページ： 1314-1323 発行年： 2012年05月14日
JST資料番号： D0987B ISSN： 0884-2914 CODEN： JMREEE 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

歪Siは電子を加速し,より高速デバイスを可能にするために歪(ストレス)を持った単結晶シリコンの非常に薄い層である。一軸歪がディープサブミクロンデバイスに望ましい。本研究ではホウ素ドープ一層または二層Si_1-xGe_xを20nm技術で300mmp^-Si(100)デバイスウェハ上に超高真空化学気相成長によりエピタキシャル成長した。その後,950~1050°C,60sで急速熱アニールを行なった。363.8,441.6,457.9,488.0および514.5nmの励起波長を持った高スペクトル分解能マイクロRaman分光法でSi_1-xGe_x界面近傍のGe含有量変化およびSi応力変化を調査した。アニール後のGe拡散と圧縮Si応力に関しては一層と二層Si_1-xGe_x層では著しい違いがあった。Raman分析結果を二次イオン質量分析(SIMS)および高分解能X線回折(HRXRD)などの測定方法による結果と比較した。多重波長マイクロRaman分光法は一層および二層のSi_1-xGe_x層の微細構造を調べる上で,有力な手段となることがわかった。

, , , , , , , , , , , , , , , , , , ,
, , , , ,

半導体薄膜 , 固体中の拡散一般 , 半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル

, , , , , ,

前のページに戻る

急速熱アニール後のSi(100)上の薄いエピタキシャルSi1-xGex層のGe拡散とSi応力変化のマイクロRaman評価

急速熱アニール後のSi(100)上の薄いエピタキシャルSi_1-xGe_x層のGe拡散とSi応力変化のマイクロRaman評価