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J-GLOBAL ID：201202216944150110   整理番号：12A0873957

SiC(0001)上のエピタキシャルグラフェンへのプラズマ支援窒素ドーピング中における窒素-空格子点複合体の形成

Formation of nitrogen-vacancy complexes during plasma-assisted nitrogen doping of epitaxial graphene on SiC(0001)

著者 (5件)： RHIM S. H. (Dep. of Physics and Lab. for Surface Studies, Univ. of Wisconsin, Milwaukee, Wisconsin 53211, USA) ,  QI Y. (Dep. of Physics and Lab. for Surface Studies, Univ. of Wisconsin, Milwaukee, Wisconsin 53211, USA) ,  LIU Y. (Dep. of Physics and Lab. for Surface Studies, Univ. of Wisconsin, Milwaukee, Wisconsin 53211, USA) ,  WEINERT M. (Dep. of Physics and Lab. for Surface Studies, Univ. of Wisconsin, Milwaukee, Wisconsin 53211, USA) ,  LI L. (Dep. of Physics and Lab. for Surface Studies, Univ. of Wisconsin, Milwaukee, Wisconsin 53211, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 23  ページ： 233119-233119-5  発行年： 2012年06月04日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒素プラズマを使ってSiC(0001)上のエピタキシャルグラフェンへドープすると,N-空格子点複合体が形成される。密度汎関数理論により計算したエネルギー論,そして走査型トンネル顕微鏡法観察との比較に基づいて,最も確からしい配置は,炭素空格子点の隣を置換した窒素から成る非磁性の複合体と決定した。さらに計算により,置換したNと空格子点が第2隣接と第3隣接となる他のN-空格子点複合体は局在モーメントを見せることを示した。これら結果は,グラフェンの電子及び磁気特性はプラズマ支援窒素ドーピングによりさらに調節できることを示す。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,  炭素材 ,  *窒素 ,  ドーピング ,  不純物中心 ,  空格子点 ,  *複合欠陥 ,  密度汎関数法 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  *局在磁気モーメント ,  プラズマ処理 ,  バンド構造 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： *プラズマドーピング

分類 (1件)： その他の無機化合物の格子欠陥  (BK12050B)

タイトルに関連する用語 (8件)： SiC ,  エピタキシャルグラフェン ,  プラズマ ,  支援 ,  窒素ドーピング ,  窒素 ,  空格子点 ,  複合体