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J-GLOBAL ID：201202217009376824   整理番号：12A0783998

金属/ナノ構造シリコン/シリコン構造の光電子輸送に及ぼす表面化学及びモルフォロジーの効果

Surface chemistry and morphology effects on optoelectronic transport at metal/nanostructured silicon/silicon structures

著者 (6件)： AMBRICO Marianna (CNR-Istituto di Metodologie Inorganiche e dei Plasmi, Sezione Territoriale di Bari Via Orabona 4, 70125 Bari, ITA) ,  DI MUNDO Rosa (Dipartimento di Chimica, Universita degli Studi di Bari “Aldo Moro” Via Orabona 4, 70125 Bari, ITA) ,  FRANCESCO AMBRICO Paolo (CNR-Istituto di Metodologie Inorganiche e dei Plasmi, Sezione Territoriale di Bari Via Orabona 4, 70125 Bari, ITA) ,  D’AGOSTINO Riccardo (Dipartimento di Chimica, Universita degli Studi di Bari “Aldo Moro” Via Orabona 4, 70125 Bari, ITA) ,  LIGONZO Teresa (Dipartimento Interateneo di Fisica, Universita degli Studi di Bari “Aldo Moro” Via Orabona 4, 70125 Bari, ITA) ,  PALUMBO Fabio (CNR-Istituto di Metodologie Inorganiche e dei Plasmi, Sezione Territoriale di Bari Via Orabona 4, 70125 Bari, ITA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 9  ページ： 094903-094903-8  発行年： 2012年05月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では金属(Au)/シリコン界面の(ナノ構造化による)電気的及び光電的性質の改変について報告する。ナノ構造は,マスク無しでシリコン表面をCF₄プラズマに反応性エッチングモードで曝すことにより形成した。この金属/ナノテクスチャシリコン/シリコン構造を横切って流れる電流と表面構造及び表面化学の変化との関連を調べた。その結果,このようなナノ構造は光起電挙動を強め,表面テクスチャや表面化学に依存する大きさで電気輸送及び光電子輸送に影響を及ぼすことが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *Schottky障壁ダイオード ,  *ケイ素 ,  金 ,  *ナノ構造 ,  *表面構造 ,  RIE【エッチング】 ,  電流電圧特性 ,  光電流 ,  表面改質 ,  組成 ,  スペクトル ,  キャリア寿命
準シソーラス用語： 光電流スペクトル ,  *表面ナノ構造 ,  表面組成

分類 (2件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (6件)： ナノ構造 ,  シリコン ,  光電子 ,  輸送 ,  表面化学 ,  モルフォロジー