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J-GLOBAL ID:201202217087507242   整理番号:12A0731972

分光法で検出した欠陥状態と高κ(誘電率)キャパシタ構造漏れ電流を熱刺激電流法で関連づける困難さを招く機構

Mechanisms of Difficulty to Correlate the Leakage Current of High-k Capacitor Structures with Defect States Detected Spectroscopically by the Thermally Stimulated Current Technique
著者 (1件):
資料名:
巻: 159  号:ページ: G67-G73  発行年: 2012年 
JST資料番号: C0285A  ISSN: 1945-7111  CODEN: JESOAN  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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本報では,高κ(誘電率)キャパシタ構造漏れ電流の分光法検出欠陥状態との熱刺激電流(TSC)法による関連づけは実際には難しいが,この問題は現実には不可解でないことを指摘した。4つの困難さを招く機構を提案し,例として酸化タンタル用いたキャパシタ構造(Al/Ta2O5/n+-SiやAl/Ta2O5/p+-Si)を取上げ解決策を説明した。一つの機構はTSCで用いるバイアス電圧に起因する寄生電流存在によるTSC法自体の限界だが,ゼロバイアスTSCやゼロ温度勾配ゼロバイアスTSCのようなTSC進歩バージョンへの移行により解決できる。他の可能な機構には,漏れ電流が幾つかの状況下で欠陥状態存在に影響されないことがある。このような状況を説明する統合Schottky-Poole-Frenkelモデルを提案した。更に,別の機構に欠陥状態の非一様分布に因るものがあるが,時には,これは提案2ゾーンモデルにより解ける。
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
LCR部品  ,  誘電体一般  ,  塩基,金属酸化物 

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