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J-GLOBAL ID：201202217229431494   整理番号：12A0586059

r面サファイア加工基板上{11-22}GaN成長における転位ブロッキング

著者 (4件)： 古家大士 (トクヤマ) ,  古家大士 (山口大 大学院) ,  岡田成仁 (山口大 大学院) ,  只友一行 (山口大 大学院)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 59th  ページ： ROMBUNNO.15P-F11-6  発行年： 2012年02月29日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *基板 ,  *窒化ガリウム ,  *薄膜成長 ,  *転位【結晶】 ,  ブロッキング ,  非極性 ,  転位密度 ,  発光ダイオード ,  側壁 ,  選択成長 ,  フォトリソグラフィー ,  RIE【エッチング】 ,  MOCVD ,  バッファ層 ,  ファセット ,  平坦性 ,  平滑度 ,  陰極線ルミネセンス ,  非対称性 ,  *サファイア基板 ,  成長温度 ,  *格子欠陥
準シソーラス用語： ストライプ構造

分類 (3件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： サファイア ,  GaN ,  成長 ,  転位 ,  ブロッキング