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J-GLOBAL ID：201202217600866962   整理番号：12A1166855

エミッタベースヘテロ接合の近くに薄い高度にN型ドープされた薄い層を有するInP/InGaAs HBTの性能

Performance of InP/InGaAs HBTs with a Thin Highly N-Type Doped Layer in the Emitter-Base Heterojunction Vicinity

著者 (4件)： KURISHIMA Kenji (NTT Photonics Laboratories, NTT Corp.) ,  IDA Minoru (NTT Photonics Laboratories, NTT Corp.) ,  KASHIO Norihide (NTT Photonics Laboratories, NTT Corp.) ,  K. FUKAI Yoshino (NTT Photonics Laboratories, NTT Corp.)
資料名： IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)  (IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： E95-C  号： 8  ページ： 1310-1316 (J-STAGE)  発行年： 2012年 
JST資料番号： L1370A  ISSN： 0916-8524  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,InP/InGaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)の直流及び高周波特性へのエミッタベースヘテロ接合の近くにおけるN型ドーピングの影響について研究する。N型ドーピングはエミッタからのトンネル注入電流を増加するのに非常に効果があり,その結果コレクタ電流ターンオン電圧を低減するのに効果があることが分かった。しかしながら不必要なドーピングレベルの増加は,特に低電流領域での電流利得を下げるだけであることも分かった。より高いドーピングレベルはまた,エミッタ接合の静電容量を増やす。0.5-μm幅エミッタの最適HBT構造におけるターンオン電圧は0.78Vと低く,J_C=1mA/μm²における電流利得は80程度である。また電流利得カットオフ周波数f_maxはV_CE=1V及びJ_C=3mA/μm²において385GHである。これらの結果は,このHBTが高速低電力IC応用において非常に有効であることを示している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *HBT【トランジスタ】 ,  N型半導体 ,  ヘテロ接合 ,  *ドーピング ,  リン化インジウム ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  *周波数特性 ,  トンネル効果 ,  電流 ,  電圧 ,  ターンオン ,  利得
準シソーラス用語： InGaAs ,  InP ,  ターンオン電圧 ,  トンネル電流 ,  高周波特性 ,  電流利得 ,  ヘテロ接合バイポーラトランジスタ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (19件)：

• RODWELL, M. J. W. InP bipolar ICs : Scaling roadmaps, frequency limits, manufacturable technologies. Proc. IEEE. 2008, 96, 2, 271-286
• FUKUYAMA, H. Two-channel InP HBT differential automatic-gaincontrolled transimpedance amplifier IC. Proc. Compound Semiconductor Integrated Circuits Symposium (CSICS), 2008. 2008, 120-123
• NAGATANI, M. A 24-GS/s 6-bit R-2R current-steering DAC in InP HBT technology. IEICE Trans. Electron. C. 2010, E93, 8, 1279-1285
• KONCZYKOWSKA, A. 42 GBd 3-bit power-DAC for optical communications with advanced modulation formats in InP DHBT. Electron. Lett. 2011, 47, 6, 389-390
• STANCHINA, W. E. Status and Potential of AllnAs/GalnAs HBT ICs. Proc. Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials (IPRM), 1992. 1992, 434-437

タイトルに関連する用語 (7件)： エミッタ ,  ヘテロ接合 ,  ドープ ,  層 ,  InP ,  InGaAs ,  HBT