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J-GLOBAL ID：201202217600898589   整理番号：12A0363377

共通ゲート駆動の並行電流制限超接合MOSFETにおける電流分担のモデリング

Modelling of current sharing in paralleled current limiting superjunction MOSFETs with common gate drives

著者 (4件)： DONNELLAN B.t. (PEATER Group, School of Engineering, Univ. of Warwick, Coventry CV4 7AL, GBR) ,  ROBERTS G.j. (PEATER Group, School of Engineering, Univ. of Warwick, Coventry CV4 7AL, GBR) ,  MAWBY P.a. (PEATER Group, School of Engineering, Univ. of Warwick, Coventry CV4 7AL, GBR) ,  BRYANT A.t. (PEATER Group, School of Engineering, Univ. of Warwick, Coventry CV4 7AL, GBR)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 52  号： 3  ページ： 497-502  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿は,共通ゲート駆動を有する平行MOSFET間の電流分担について記す。これは電流が飽和領域で制御される必要がある状態の時重要である。並行MOSFET動作の限界を評価し,デバイスをこの特殊な応用で使用する前にデバイスを選別する必要性の有無を決定するために,デバイスの過渡電熱挙動をMatlabツールボックスSimulinksに組み込まれたMOSFETモデルを使ってシミュレートした。まず,いくつかの同じMOSFETの特性を調べ,抽出したパラメータをコンピュータモデルに入力した。それからデバイスの電熱挙動を固体電流制限スイッチの代表的モデルを使ってシミュレートした。シミュレーション結果を実験で検証した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 半導体接合 ,  *MOSFET ,  *モデリング ,  シミュレーション ,  過渡解析 ,  電力トランジスタ ,  電流電圧特性 ,  電流分布
準シソーラス用語： パワーMOSFET ,  *超接合 ,  *電流分担

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： ゲート ,  並行 ,  電流制限 ,  超接合 ,  MOSFET ,  電流分担 ,  モデリング