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J-GLOBAL ID：201202217605526094   整理番号：12A0138223

III-V系液滴エピタキシャルナノリングの形成の理解について

To the understanding of the formation of the III-V based droplet epitxial nanorings

著者 (4件)： NEMCSICS Akos (Inst. for Microelectronics and Technol., Obuda Univ., Tavaszmezoe u. 17, H-1084 Budapest, HUN) ,  NEMCSICS Akos (Res. Inst. for Technical Physics and Materials Sci., P.O. Box 49, H-1525 Budapest, HUN) ,  STEMMANN Andrea (Inst. fuer Angewandte Physik und Zentrum fuer Mikrostrukturforschung, Jungiusstrasse 11, D-20355 Hamburg, DEU) ,  TAKACS Jenoe (Dep. of Engineering Sci., Univ. of Oxford, Parks Road, Oxford OX13PJ, GBR)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 52  号： 2  ページ： 430-433  発行年： 2012年02月 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,AlGaAs(100)表面上に成長した液滴エピタキシャルGaAs量子リング形成の運動力学を取り扱う。これらの観察したナノ構造のアスペクト比は,技術的パラメータに依存するだけでなく,初期の液滴のサイズに依存する。適切な成長条件の下では,リングの中央の窪みは基板表面レベルより深い。数多くの試験は,小さなリングの中央の窪みが大きなリングのそれよりも深いことを示している。その数は統計的ばらつきよりも大きい。本論文では,例えば溶解度のような材料特性の大きさ依存性に基づいて,この現象の説明とその運動力学を述べる。推測するもっともらし説明は,より大きな液滴での種結晶の形成確率が高いということである。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  液滴 ,  *エピタクシー ,  微結晶 ,  *ナノ構造 ,  ヒ化ガリウム ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  量子ドット ,  円環 ,  パターン形成 ,  種結晶 ,  統計的推定 ,  核形成 ,  MBE成長 ,  機構
準シソーラス用語： ナノリング ,  運動力学 ,  生成機構 ,  量子リング

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (2件)： 液滴エピタキシ ,  理解