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J-GLOBAL ID：201202217843781086   整理番号：12A1000540

Be注入したInAs_0.93Sb_0.07膜における損傷蓄積及びアニーリング特性

Damage buildup and annealing characteristics in Be-implanted InAs_0.93Sb_0.07 film

著者 (11件)： WANG Q.w. (National Lab. for Infrared Physics, Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sciences, Shanghai 200083 ...) ,  SUN C.h. (National Lab. for Infrared Physics, Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sciences, Shanghai 200083 ...) ,  HU S.h. (National Lab. for Infrared Physics, Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sciences, Shanghai 200083 ...) ,  WEI L.m. (National Lab. for Infrared Physics, Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sciences, Shanghai 200083 ...) ,  WU J. (National Lab. for Infrared Physics, Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sciences, Shanghai 200083 ...) ,  SUN Y. (National Lab. for Infrared Physics, Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sciences, Shanghai 200083 ...) ,  HU G.j. (National Lab. for Infrared Physics, Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sciences, Shanghai 200083 ...) ,  YU G. (National Lab. for Infrared Physics, Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sciences, Shanghai 200083 ...) ,  CHEN X. (National Lab. for Infrared Physics, Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sciences, Shanghai 200083 ...) ,  DENG H.y. (National Lab. for Infrared Physics, Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sciences, Shanghai 200083 ...) ,  DAI N. (National Lab. for Infrared Physics, Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sciences, Shanghai 200083 ...)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 285  ページ： 11-17  発行年： 2012年08月15日 
JST資料番号： H0899A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： ベリリウム ,  *イオン注入 ,  インジウム合金 ,  ヒ素合金 ,  アンチモン合金 ,  *薄膜 ,  エピタクシー ,  X線回折 ,  透過型電子顕微鏡 ,  歪 ,  フルエンス ,  損傷 ,  蓄積 ,  焼なまし

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： Be ,  注入 ,  損傷 ,  蓄積 ,  アニーリング