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J-GLOBAL ID：201202217901965184   整理番号：12A1731455

AlGaN/GaNオンシリコン高電子移動度トランジスタのナノスケール解析

Nanoscale investigation of AlGaN/GaN-on-Si high electron mobility transistors

著者 (17件)： FONTSERE A (CSIC, Barcelona, ESP) ,  PEREZ-TOMAS A (CSIC, Barcelona, ESP) ,  PLACIDI M (CSIC, Barcelona, ESP) ,  LLOBET J (CSIC, Barcelona, ESP) ,  BARON N (CRHEA, CNRS, Valbonne, FRA) ,  BARON N (PICOGIGA International, Villejust, FRA) ,  CHENOT S (CRHEA, CNRS, Valbonne, FRA) ,  CORDIER Y (CRHEA, CNRS, Valbonne, FRA) ,  MORENO J C (CRHEA, CNRS, Valbonne, FRA) ,  JENNINGS M R (Univ. Warwick, Coventry, GBR) ,  GAMMON P M (Univ. Warwick, Coventry, GBR) ,  FISHER C A (Univ. Warwick, Coventry, GBR) ,  IGLESIAS V (ETSE, Barcelona, ESP) ,  PORTI M (ETSE, Barcelona, ESP) ,  BAYERL A (ETSE, Barcelona, ESP) ,  LANZA M (ETSE, Barcelona, ESP) ,  NAFRIA M (ETSE, Barcelona, ESP)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 23  号： 39  ページ： 395204,1-8  発行年： 2012年10月05日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/Ga高電子移動度トランジスタ(HEMT)を,MBE成長によりSi基板上に作製し,オーミック(ドレインおよびソース)およびSchottky(ゲート)電流を,導電性原子間力顕微鏡(CAFM)と高分解能電子顕微鏡を用いてナノスケールで調べた。その結果,CAFM探針(直径約20~50nm)の全接触面積のおよそ5%しか伝導に寄与していないことがわかった。これは,接触しているわずかの部分しか導電しておらず,二次元電子ガス(2DEG)の電子と金属積層間の直接的な電子のパスは,優先的接触機構によるものであることを示唆した。従って,2方向Ohm伝導は,高度に伝導的なナノピラー(全面積の5%)において優先的に生じることを指摘した。

シソーラス用語： *HEMT ,  *アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *窒化ガリウム ,  MBE成長 ,  基板 ,  ケイ素 ,  Ohm接触 ,  Schottky障壁 ,  *電流電圧特性 ,  顕微鏡観察 ,  原子間力顕微鏡 ,  走査電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  高分解能電子顕微鏡 ,  二次元電子ガス ,  *ナノ構造
準シソーラス用語： ナノピラー ,  窒化アルミニウムガリウム ,  導電性原子間力顕微鏡

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： AlGaN ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  ナノスケール ,  解析