センサーおよびデバイス応用のためのシリコン上の3C-SiCヘテロエピタキシャル成長における応力場の拡張特性評価

文献

J-GLOBAL ID：201202218056122390 整理番号：12A1006087

Extended characterization of the stress fields in the heteroepitaxial growth of 3C-SiC on silicon for sensors and device applications

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著者 (7件)：

CAMARDA Massimo

CAMARDA Massimo について

(Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, CNR, Catania, ITA)