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J-GLOBAL ID:201202218118257300   整理番号:12A0652197

障壁としての応用のための有機ケイ素重合体の化学蒸着による表面粗さの広域および局所平坦化

Global and local planarization of surface roughness by chemical vapor deposition of organosilicon polymer for barrier applications
著者 (2件):
資料名:
巻: 111  号:ページ: 073516-073516-7  発行年: 2012年04月01日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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プラスチック基板上の粒子や尖りはフレキシブルエレクトロニクスのための電流保護障壁被覆の性能を制限する。障壁堆積に先立ち基板に平坦化層を付けることにより浸透は減少する。液相を用いた平坦化層の適用とアクリル酸単量体の硬化は既知であるが,蒸着による平坦化の報告の数は少ない。この仕事では,硬化が必要ないフレキシブルな平坦化層の化学蒸着を多層障壁スタックの堆積に用いるのと同じ反応容器で同じ有機単量体で実施した。平坦化と障壁層堆積の工程が同じであることにより費用が下がり,平坦化層と障壁スタックの間の接着のような界面の性質が改善する。この方式は二つの十分に確立した有機層CVD法の発展形であり特徴を併せているが,それはプラズマ強化(PECVD)と開始剤化学種(iCVD)の活用である。新規の開始プラズマ強化化学蒸着(iPECVD)法はその先駆者のいずれよりも遥かに強い平坦化を実現した。ポリスチレンミクロスフェアが欠陥のモデルとなり,平坦化の程度を定量化させる。断面走査電子顕微鏡像と原子間力顕微鏡像が,iPECVD有機層の厚みが1.8μmなら平坦化の程度は98%であることを実証した。モデルが,平坦化は皮膜粘性と表面張力の結果達成されたことを示した。最後に,20nm厚みのSiOx層の水蒸気障壁性能は平坦化した基板上に堆積すると二桁向上した。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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固体デバイス製造技術一般 

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