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J-GLOBAL ID：201202218141770171   整理番号：12A1117392

LPE及びMBEにより成長したInAsN希薄窒化物合金の中赤外光ルミネセンス

Mid-infrared photoluminescence of InAsN dilute nitride alloys grown by LPE and MBE

著者 (4件)： DE LA MARE M. (Physics Dep., Lancaster Univ., Lancaster LA1 4YB, GBR) ,  ZHUANG Q. (Physics Dep., Lancaster Univ., Lancaster LA1 4YB, GBR) ,  DHAR S. (Dep. of Electronic Sci., Univ. of Calcutta 92, APC. Road, Kolkata-700 009, IND) ,  KRIER A. (Physics Dep., Lancaster Univ., Lancaster LA1 4YB, GBR)
資料名： Infrared Physics & Technology  (Infrared Physics & Technology)
巻： 55  号： 5  ページ： 399-402  発行年： 2012年09月 
JST資料番号： H0184A  ISSN： 1350-4495  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 液相及び分子ビームエピタキシャル成長法を用いて希薄窒化物InAsNエピタキシャル層を生成した。中赤外スペクトル領域の発光エネルギーを持つ1%に及ぶNを含む試料の光ルミネセンスにおけるスペクトル特徴を記述し比較した。LPE及びMBE成長材料の発光強度は同程度であることが分かった。InAsN合金内のN含量の増大は,伝導帯端の低下とAuger離調の結合のため,光ルミネセンス発光の熱消光に対する活性化エネルギーの著しい増大をもたらした。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *LPE成長 ,  *MBE成長 ,  インジウム化合物 ,  ヒ化物 ,  *窒化物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *光ルミネセンス ,  赤外発光スペクトル ,  消光 ,  放射強度
準シソーラス用語： *ヒ化窒化インジウム ,  熱消光

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： MBE ,  成長 ,  窒化物 ,  合金 ,  光ルミネセンス