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J-GLOBAL ID：201202218202494083   整理番号：12A1439341

サブ構造反射率を減衰させるNIR吸収アンダーレイヤーによる焦点の改善

Focus Improvement with NIR Absorbing Underlayer Attenuating Substructure Reflectivity

著者 (9件)： HUANG Wu-Song (IBM Microelectronics, NY) ,  GOLDFARB Dario (IBM Thomas J. Watson Res. Center, NY) ,  LI Wai-Kin (IBM Microelectronics, NY) ,  GLODDE Martin (IBM Thomas J. Watson Res. Center, NY) ,  NODA Kazumi (Shin-Etsu Chemical, Niigata, JPN) ,  TACHIBANA Seiichiro (Shin-Etsu Chemical, Niigata, JPN) ,  OHASHI Masaki (Shin-Etsu Chemical, Niigata, JPN) ,  OWE-YANG Dah-Chung (Shin-Etsu Microsi, AZ) ,  KINSHO Takeshi (Shin-Etsu Chemical, Niigata, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8325  ページ： 83251A.1-83251A.7  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 193nm液浸リソグラフィではDOFが100nm以下になっている。リソグラフィシステムの自動焦点レベリング機構は近赤外(NIR)を使っているので透過率が高く,下層からの反射が干渉して測定精度を落としている。この問題を緩和するためにウエハ表面を検知するエアゲージセンサが使われるが速度が遅くスループットが低下する。このために,レジスト塗布工程で容易に挿入出来るNIR吸収アンダーレイヤー(UL)を開発した。開発したNIR ULは,シアニン染料と架橋可能なポリマーを二つの主要成分とした組み合わせである。これは200nm厚のサブ構造から反射される波長800nm以上のNIR光の殆どをブロックする。BEOLに適用するとエアゲージセンサは使わずレベルセンサだけの自動焦点だけでシステムを維持出来た。

シソーラス用語： 半導体プロセス ,  フォトリソグラフィー ,  焦点深度 ,  焦点 ,  *焦点合せ ,  近赤外線 ,  シアニン染料 ,  架橋【高分子】 ,  *反射 ,  光吸収
準シソーラス用語： *アンダーレイヤー ,  近赤外 ,  自動焦点 ,  *露光装置

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： サブ ,  反射率 ,  減衰 ,  レイヤー ,  焦点