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J-GLOBAL ID：201202218221240114   整理番号：12A0396471

各種の蒸着圧におけるCVDダイヤモンド薄膜の性質に対する炭化ホウ素の影響

Influence of boron carbide on properties of CVD-diamond thin films at various deposition pressures

著者 (2件)： ULLAH Mahtab (Dep. of Physics, Bahauddin Zakariya Univ., Bosan Road, Multan-60800, PAK) ,  AHMED E. (Dep. of Physics, Bahauddin Zakariya Univ., Bosan Road, Multan-60800, PAK)
資料名： Current Applied Physics  (Current Applied Physics)
巻： 12  号： 3  ページ： 945-951  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： W1579A  ISSN： 1567-1739  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フィラメントの前に置かれた炭化ホウ素(B₄C)の存在下で水素とメタンの混合気体を用いたホットフィラメント化学蒸着法により,シリコン基板上に微結晶ホウ素をドープしたダイヤモンド(BDD)膜を合成した。走査型電子顕微法,Raman分光,X線回折の観察結果による形態を示す。成長したままのダイヤモンド膜の各種の蒸着圧に対する微細構造は蒸着圧の変化に依存することが分かる。これらの結果は,蒸着圧の増加により抵抗率は低下し,B₄Cの存在下において粒子サイズの増加が注目されることを示している。ダイヤモンド膜へのホウ素の添加により抵抗率は約3桁の急落を示す。これはB₄Cの存在下のダイヤモンドの構造にB原子に誘起される結晶無欠陥性によるものである。これらの結果はBDD材質の従来の応用に対しても重要である。全ての膜形態への蒸着圧の効果とダイヤモンド膜のドーピングレベル依存についても議論した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 薄膜 ,  *ダイヤモンド ,  *化学蒸着 ,  *炭化ホウ素 ,  電気抵抗率 ,  粒度 ,  形態 ,  *ドーピング ,  圧力効果 ,  走査電子顕微鏡 ,  Ramanスペクトル ,  X線回折 ,  微細構造 ,  水素 ,  混合気体 ,  ウエハ【IC】 ,  *ホウ素 ,  表面構造 ,  アルカン
準シソーラス用語： *ダイヤモンド薄膜 ,  圧力依存性 ,  ホットフィラメントCVD ,  シリコン基板

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

物質索引 (1件)： メタン

タイトルに関連する用語 (6件)： 蒸着 ,  圧 ,  CVD ,  ダイヤモンド薄膜 ,  性質 ,  炭化ホウ素