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J-GLOBAL ID：201202218358741560   整理番号：12A0024681

rfマグネトロンスパッタリングで育成したGZO膜の特性に及ぼす析出パラメータと焼鈍処理の影響

Influence of deposition parameters and annealing treatment on the properties of GZO films grown using rf magnetron sputtering

著者 (3件)： HUANG C.h. (Dep. of Mechanical Engineering, Lunghwa Univ. of Sci. and Technol., Taoyuan, Taiwan, TWN) ,  CHEN D.y. (Dep. of Mechanical Engineering, Hwa Hsia Inst. of Technol., Taipei, Taiwan, TWN) ,  HSU C.y. (Dep. of Mechanical Engineering, Lunghwa Univ. of Sci. and Technol., Taoyuan, Taiwan, TWN)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 38  号： 2  ページ： 1057-1063  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究では,無線周波数(rf)マグネトロンスパッタリングを使用して,室温で,様々な被覆条件(rf出力,スパッタ圧力,基材-ターゲット距離,析出時間)の下で,ガリウムをドーピングした酸化亜鉛(GZO)の透明導電膜を,ソーダ石灰ガラス基材に析出した。GZO膜の構造的,形態学的,電気的,光学的の特性に及ぼす,被覆パラメータの影響を研究した。この研究では,グレイベースの田口法を使用して,多重性能特性を考慮して,GZO膜の被覆工程のパラメータを決定した。確認工程で,グレイ相関解析で,析出速度の14.1%,抵抗率の39.81%,可視範囲透過率の1.38%の,それぞれ改良が認められた。真空,酸素,および窒素のガス雰囲気で,130~190°Cの範囲の温度で,1hの焼鈍の影響も調査した。真空で,190°Cで焼鈍したGZO膜が,1.07×10^-3Ω-cmの最も低い抵抗率を示した。可視領域の光透過率は約85%であった。より低温(190°C)で育成した膜を高分子基材に被覆して,フレキシブルな光電子デバイスを生産することができた。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *半導体薄膜 ,  *酸化ガリウム ,  *ドーピング ,  RFスパッタリング ,  マグネトロンスパッタリング ,  *スパッタ蒸着 ,  基板 ,  ソーダ石灰ガラス ,  透明導電膜 ,  パラメータ ,  *電気抵抗率 ,  *透過率 ,  焼なまし ,  光透過
準シソーラス用語： GZO【酸化物】 ,  *アニーリング

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (5件)： RFマグネトロンスパッタリング ,  GZO ,  析出 ,  パラメータ ,  焼鈍処理