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J-GLOBAL ID：201202218488582502   整理番号：12A0444006

ポリエチレンナフタレート基板上に化学浴析出により析出させたIn₂S₃薄膜の合成と特性評価

Synthesis and Characterization of In₂S₃ Thin FilmsDeposited by Chemical Bath Deposition on Polyethylene Naphthalate Substrates

著者 (5件)： CASTELO-GONZALEZ O.A. (Universidad de Sonora, Departamento de Investigacion en Polimeros y Materiales, Blvd. Luis Encinas y Rosales s/n ...) ,  SANTACRUZ-ORTEGA H.C. (Universidad de Sonora, Departamento de Investigacion en Polimeros y Materiales, Blvd. Luis Encinas y Rosales s/n ...) ,  QUEVEDO-LOPEZ M.A. (Universidad de Sonora, Departamento de Investigacion en Polimeros y Materiales, Blvd. Luis Encinas y Rosales s/n ...) ,  QUEVEDO-LOPEZ M.A. (Univ. of Texas at Dallas, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Richardson, TX, USA) ,  SOTELO-LERMA M. (Universidad de Sonora, Departamento de Investigacion en Polimeros y Materiales, Blvd. Luis Encinas y Rosales s/n ...)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 41  号： 4  ページ： 695-700  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 硫化インジウム(In₂S₃)薄膜を化学浴析出(CBD)によりポリエチレンナノフタレート(PEN)上に析出させた。この材料を紫外線(UV)-可視分光法,x線光電子分光法(XPS),エネルギー分散x線分光法(EDX),走査電子顕微鏡法(SEM),およびx線回折(XRD)により特性評価し,高分子基板上に生成したIn₂S₃薄膜に対する影響を調べた。この薄膜は多結晶(立方晶と正方晶)構造を示した。PENの表面で高分子鎖の次数低減も見られた。これは1094cm^-1と1266cm^-1で二つの赤外線バンドが現れることにより示された。In₂S₃成長の初期段階で酸素の存在も明らかになった。筆者等は,平衡段階と結晶核生成段階の両方の反応メカニズムを提案した。これらの結果から,In₂S₃はフレキシブル基板上に室温で析出させることができることが分かった。Copyright 2012 TMS Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ポリエチレンナフタレート ,  析出 ,  インジウム化合物 ,  硫化物 ,  薄膜成長 ,  X線光電子分光法 ,  薄膜 ,  赤外スペクトル ,  反応機構 ,  結晶核形成 ,  *フレキシブル基板
準シソーラス用語： PEN【重合体】 ,  XPS ,  *化学浴析出 ,  多結晶薄膜 ,  反応メカニズム ,  *硫化インジウム

分類 (2件)： プリント回路  (NA05040O) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： ポリエチレンナフタレート ,  化学浴析出 ,  析出 ,  薄膜 ,  特性評価