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J-GLOBAL ID：201202218492787143   整理番号：12A0814403

モンテカルロシミュレーションによるメタルゲートMOSデバイスにおけるランダム仕事関数誘起閾値電圧変動の推定

Random Work-Function-Induced Threshold Voltage Fluctuation in Metal-Gate MOS Devices by Monte Carlo Simulation

著者 (2件)： LI Yiming (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHENG Hui-Wen (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing  (IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing)
巻： 25  号： 2  ページ： 266-271  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： T0521A  ISSN： 0894-6507  CODEN： ITSMED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最新のナノスケールMOSFETsにおいては,ラインエッジ粗さ,ランダムドーパントや他の原因によりデバイス特性が大きな影響を受ける。本稿では,モンテカルロシミュレーションを使ってメタルゲートサイズとメタル材料について仕事関数変動(WKF)のデバイス閾値電圧(V_th)への影響を調べた。その結果,16nmプロセスMOSFETの4種類のゲート材料の中で,窒化チタン(TiN)が最も小さいσV_thを示した。多層メタルゲート材料について調べた結果,第1層がσV_thを抑制するのに最も重要であることが分かった。この方法はMOSFETsのメタルゲート特性を調べるのに使うことができる。

シソーラス用語： 計算機シミュレーション ,  モンテカルロ法 ,  ゲート【半導体】 ,  *MOSFET ,  *仕事関数 ,  電圧 ,  閾値 ,  チタン化合物 ,  窒化物
準シソーラス用語： メタルゲート ,  モンテカルロシミュレーション ,  窒化チタン ,  *閾値電圧

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： モンテカルロシミュレーション ,  メタルゲート ,  MOSデバイス ,  仕事関数 ,  誘起 ,  閾値電圧 ,  推定