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J-GLOBAL ID：201202218606424984   整理番号：12A1152105

ALD化学の原子スケールシミュレーション

Atomic-scale simulation of ALD chemistry

著者 (1件)： ELLIOTT Simon D (Univ. Coll. Cork, Cork, IRL)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 27  号： 7  ページ： 074008,1-10  発行年： 2012年07月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子層堆積(ALD)の原子スケールシミュレーションについて,報告されている論文のレビューを行った。まず原子スケールシミュレーションの方法について,第一原理法および活性化エネルギーを取上げ,ALD化学の主要課題は成長反応,基板の影響,およびプリカーサの分解であることを明らかにした。次いで,ホモ堆積における反応メカニズムとして,酸化物ALD,窒化物ALD,金属または元素ALDのメカニズムを論じた。さらにケイ素,酸化ケイ素,およびその他の基板上へのALDのシミュレーションとして,酸化ジルコニウムおよび酸化ハフニウム,酸化アルミニウム,チタニウムベースの材料,およびその他の酸化物および硫化物のヘテロ堆積についてレビューした。最後にALDのプリカーサの熱安定性を取上げた。シミュレーションは,単に実験データの実証だけでなく,ALDプロセスの説明,予測,およびそれへの寄与を目的とすべきであることを述べた。

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  *プロセスシミュレーション ,  シミュレーション ,  長さ ,  成長 ,  プリカーサ ,  反応機構 ,  計算 ,  活性化エネルギー ,  文献展望 ,  基板
準シソーラス用語： 原子スケール ,  *原子層堆積 ,  成長反応 ,  第一原理計算 ,  反応メカニズム

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： ALD ,  化学 ,  原子スケール ,  シミュレーション