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J-GLOBAL ID：201202218656856613   整理番号：12A0613497

C₁₆TAB/Siヘテロ接合試料の電気特性

著者 (5件)： 田口真理 (日本女大 理) ,  大塚英理子 (日本女大 理) ,  出口陽子 (日本女大 理) ,  小澤あつみ (日本女大 理) ,  今井元 (日本女大 理)
資料名： 電子情報通信学会大会講演論文集  (電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集)
巻： 2012  号： エレクトロニクス2  ページ： 156  発行年： 2012年03月06日 
JST資料番号： G0508A  ISSN： 1349-1369  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： C₁₆TABとSiを用いてヘテロ接合を作製した。作製した試料を用いてI-V測定を行い,ダイオード特性を確認した。また,この結果を用いて,C₁₆TAB試料の電子親和力が約2.3eVであると推定した。GaAsとのヘテロ接合試料から算出した値と,ほぼ一致した。(著者抄録)

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  電流電圧特性 ,  *ダイオード ,  有機材料 ,  電気特性 ,  電子親和力

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  ヘテロ接合 ,  試料 ,  電気特性