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J-GLOBAL ID:201202218938094058   整理番号:12A0964956

イオンおよび電子線を用いた二段階照射法によるSiCナノファイバの直径の制御

Radius Control of SiC Nano Fiber by Two Steps Irradiation Method Using Ion and Electron Beams
著者 (6件):
資料名:
号: 2011-043  ページ: 4-4 (WEB ONLY)  発行年: 2012年01月 
JST資料番号: U0296A  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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大きな比表面積を持つナノファイバは,優れた触媒作用と吸収作用を持つと期待され,様々なナノファイバ物質の開発が行われている。著者らは,最近パラジウムを含むSiCナノファイバをイオンビーム照射により得ることに成功したが,溶液抽出過程で,ナノファイバが基板から脱落する傾向が見られた。そこで,本研究では,イオンおよび電子線を用いた二段階照射法による新しい方法を開発し,ナノファイバのサイズを制御することを試みた。0~2.4MGyの電子線をヘリウム中で照射し,そのファイバ径を走査プローブ顕微鏡により測定した。ナノファイバ径は照射線量とともに増加し,ファイバ径の制御に対して,この二段階照射法が有効であることが分かった。
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分類 (1件):
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その他の物質の放射線による構造と物性の変化 
引用文献 (3件):

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