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J-GLOBAL ID：201202219054516915   整理番号：12A0655717

高電圧ドレイン拡大型MOSFETsの電熱特性に関する研究

The Study of the Electrothermal Property of High-Voltage Drain-Extended MOSFETs

著者 (9件)： CHU Chen-Liang (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHU Chen-Liang (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., Hsinchu, TWN) ,  HU Chih-Min (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  HUNG Chung-Yu (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  GONG Jeng (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  HUANG Chih-Fang (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHEN Fei-Yun (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., Hsinchu, TWN) ,  LIOU Ruey-Hsin (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., Hsinchu, TWN) ,  TUAN Hsiao-Chin (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 4  ページ： 1149-1154  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ディスプレイパネルを駆動するため,30Vの非対称ドレイン拡大型(DE)MOSFETにおけるドリフト領域のドーピング濃度に対する,表面電場と温度分布依存性の関係を調べた。三つのドリフト領域のドーピングを用いて最大表面電位の位置と温度分布を観測した。また,DEMOSFETの内部温度分布を計算した。電流電圧特性の測定値と表面電位とDEMOSFET内の温度分布の計算値との相関性を解析した。破壊電圧に影響せずに出力抵抗問題を緩和できた。

シソーラス用語： *MOSFET ,  高電圧 ,  ドレイン【半導体】 ,  拡大 ,  不純物濃度 ,  ドーピング ,  表面電位 ,  温度分布 ,  *電流電圧特性 ,  計算機シミュレーション ,  *熱特性
準シソーラス用語： nMOSFET ,  非対称構造

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高電圧 ,  ドレイン ,  拡大 ,  電熱 ,  研究