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J-GLOBAL ID：201202219119371936   整理番号：12A0584262

Al₂O₃でキャップをした高誘電体/金属ゲートp型金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタに対する,フッ素混入による更なる仕事関数と界面品質の改良

Further work function and interface quality improvement on Al₂O₃ capped high-k/metal gate p-type metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors by incorporation of fluorine

著者 (5件)： CHEN Y.w. ,  LAI C.m. ,  CHENG L.w. ,  HSU C.h. ,  HSU C.w.
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 520  号： 13  ページ： 4482-4485  発行年： 2012年04月30日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 仕事関数に対するTiN/HfO₂/SiO₂へのフッ素(F)混入の影響を調査した。プロセス最適化で,犠牲酸化被膜を通してフッ素を注入すると,酸化物換算膜厚(EOT)を損なうことなく,十分なフラットバンド電圧(VFB)のシフト170mVがみられた。これに対し,フッ素注入を直接行うと,明らかなEOTの増加が観測された。有効仕事関数は,価電子帯の近傍の4.95eVまで増加できた。チャージポンピング測定の結果から,F混入により界面欠陥密度も20%改良できた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 酸化アルミニウム ,  *誘電体薄膜 ,  *ゲート【半導体】 ,  *MOSFET ,  *フッ素添加 ,  仕事関数 ,  界面 ,  特性 ,  膜厚 ,  電圧 ,  励起 ,  表面準位
準シソーラス用語： チャージポンプ ,  フラットバンド電圧 ,  界面準位 ,  界面特性 ,  *金属ゲート ,  酸化物換算膜厚

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (10件)： Al2O3 ,  キャップ ,  誘電体 ,  金属ゲート ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  フッ素 ,  混入 ,  仕事関数 ,  界面