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J-GLOBAL ID：201202219498547213   整理番号：12A1115673

ゲルマニウム上に成長したSiドープGaInPエピ層内のGe系複合体に関する光ルミネセンス及びRaman研究

Photoluminescence and Raman studies on Ge-based complexes in Si-doped GaInP epilayers grown on Germanium

著者 (6件)： HE W. (Key Lab. of Nanodevices and Applications, Suzhou Inst. of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Acad. of Sciences ...) ,  LU S. L. (Key Lab. of Nanodevices and Applications, Suzhou Inst. of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Acad. of Sciences ...) ,  JIANG D. S. (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  DONG J. R. (Key Lab. of Nanodevices and Applications, Suzhou Inst. of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Acad. of Sciences ...) ,  TACKEUCHI A. (Dep. of Physics, Waseda Univ., Tokyo 169-8555, JPN) ,  YANG H. (Key Lab. of Nanodevices and Applications, Suzhou Inst. of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Acad. of Sciences ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 2  ページ： 023509-023509-3  発行年： 2012年07月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記エピ層で測定した中央が1.4eVの深い広帯域光ルミネセンス(PL)はSiドーパント濃度に強く依存する。これは〔Ge_(Ga,In)-V_(Ga,In)〕複合体によるものと考えられる。SiドープGaInPにおける〔Ge_(Ga,In)-Si_(Ga,In)〕複合体の存在を支持する強い証拠をRamanスペクトルは示す。広いPL発光の青方偏移及び温度上昇による再結合寿命の増大は〔Ge_(Ga,In)-V_(Ga,In)〕と〔Ge_(Ga,In)-Si_(Ga,In)〕複合体の競合によって説明した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  リン化物 ,  エピタクシー ,  MOCVD ,  ドーパント ,  ケイ素 ,  ウエハ【IC】 ,  ゲルマニウム ,  *複合欠陥 ,  *光ルミネセンス ,  発光スペクトル ,  Ramanスペクトル ,  キャリア再結合 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： ゲルマニウム基板 ,  *リン化ガリウムインジウム

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (10件)： ゲルマニウム ,  成長 ,  Si ,  ドープ ,  GaInP ,  エピ層 ,  Ge ,  複合体 ,  光ルミネセンス ,  研究