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J-GLOBAL ID：201202219535775809   整理番号：12A0954714

一様分布量子井戸構造を有するGaInAsP/InP横方向電流注入レーザ

GaInAsP/InP Lateral Current Injection Laser With Uniformly Distributed Quantum-Well Structure

著者 (7件)： FUTAMI Mitsuaki (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  SHINDO Takahiko (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  KOGUCHI Takayuki (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  SHINNO Keisuke (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  AMEMIYA Tomohiro (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  NISHIYAMA Nobuhiko (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  ARAI Shigehisa (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 24  号： 9-12  ページ： 888-890  発行年： 2012年05月01日 
JST資料番号： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 横方向電流注入(LCI)レーザの量子効率改善を目的として一様に分布する5つの量子井戸構造のファブリーペロ(FP)レーザを提案し実現した。LCI構造はSI-InP基板上でCH₄/H₂反応イオンエッチングと2段有機金属気相エピタキシ選択成長法で製作する。メサ型ストライプは幅7μm,高さ400nmである。70μm長のキャビティで微分量子効率59%,内部量子効率70%が達成でき,鉛直電流注入レーザと同等レベルの値である。

シソーラス用語： *注入レーザ ,  *量子井戸 ,  ヒ化リン化インジウムガリウム ,  リン化インジウム ,  *量子効率 ,  気相成長 ,  イオンエッチング ,  *MOCVD

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (7件)： 一様分布 ,  量子井戸 ,  GaInAsP ,  InP ,  横方向 ,  電流注入 ,  レーザ