非晶質TiO<sub>x</sub>系のバイポーラ抵抗スイッチングランダムアクセスメモリ素子におけるランダムテレグラフノイズの現象論的解析

LEE Jung-Kyu; LEE Ju-Wan; BAE Jong-Ho; PARK Jinwon; CHUNG Sung-Woong; ROH Jae Sung; HONG Sung-Joo; LEE Jong-Ho

文献

J-GLOBAL ID：201202219579349220 整理番号：12A1258035

非晶質TiO_x系のバイポーラ抵抗スイッチングランダムアクセスメモリ素子におけるランダムテレグラフノイズの現象論的解析

Phenomenological Analysis of Random Telegraph Noise in Amorphous TiO_x-Based Bipolar Resistive Switching Random Access Memory Devices

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資料名：
巻： 12 号： 7 ページ： 5392-5396 発行年： 2012年07月
JST資料番号： W1351A ISSN： 1533-4880 CODEN： JNNOAR 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

抵抗スイッチングランダムアクセスメモリ(RRAM)素子におけるトラップでの電子の捕獲と放出に起因するランダムテレグラフノイズ(RTN)について研究した。非晶質TiO_x系バイポーラRRAMの系統的なトラップ時定数の測定により,種々のRTNを調べ,捕獲および放出過程を物理的に解析した。調べたRRAMの捕獲・放出過程は大きく2つのグループに分けられることが分かった。1つは,両過程が主に電場によって影響を受ける。他方は捕獲過程は主に電場の影響を受けるが,放出過程は熱的過程によって起こる。

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半導体集積回路

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非晶質TiOx系のバイポーラ抵抗スイッチングランダムアクセスメモリ素子におけるランダムテレグラフノイズの現象論的解析

非晶質TiO_x系のバイポーラ抵抗スイッチングランダムアクセスメモリ素子におけるランダムテレグラフノイズの現象論的解析