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J-GLOBAL ID：201202219606129121   整理番号：12A1220966

クラウン形パターン化サファイア基板を用いたGaNによる発光ダイオードの光抽出強化

Light Extraction Enhancement of GaN-Based Light-Emitting Diodes Using Crown-Shaped Patterned Sapphire Substrates

著者 (16件)： CHIU Ching-Hsueh (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  HSU Lung-Hsing (National Chiao-Tung Univ., Tainan City, TWN) ,  LEE Chia-Yu (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LIN Chien-Chung (National Chiao-Tung Univ., Tainan City, TWN) ,  LIN Bo-Wen (Sino-American Silicon Products Inc., Hsinchu, TWN) ,  TU Shang-Ju (National Cheng Kung Univ., Tainan City, TWN) ,  CHEN Yan-Hao (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LIU Che-Yu (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  HSU Wen-Ching (Sino-American Silicon Products Inc., Hsinchu, TWN) ,  LAN Yu-Pin (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  SHEU Jinn-Kong (National Cheng Kung Univ., Tainan City, TWN) ,  LU Tien-Chang (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHI Gou-Chung (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  KUO Hao-Chung (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  WANG Shing-Chung (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHANG Chun-Yen (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 24  号： 13-16  ページ： 1212-1214  発行年： 2012年07月01日 
JST資料番号： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 発光ダイオードは次世代の応用に向けて光パワー,外部量子効率などさらなる改良が要求されている。組み込みエアボイドアレイによるGaNの高性能発光ダイオードについて報告した。ドーナツ形のエアボイドをCPSS(crown-shaped patterned apphire substrate)とGaNエピレイヤの間のインターフェースに形成し,シミュレーションの結果,光抽出の著しい増加を達成した。

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  *窒化ガリウム ,  基板 ,  効率 ,  シミュレーション ,  エピタクシー
準シソーラス用語： *サファイア基板 ,  *光抽出効率

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (6件)： クラウン ,  パターン化 ,  サファイア基板 ,  GaN ,  発光ダイオード ,  強化