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J-GLOBAL ID：201202219621363327   整理番号：12A1187754

GaAs(631)ホモエピタキシャル成長における高度に規則化した自己集合ナノスケールの周期的なファセッティング

Highly ordered self-assembled nanoscale periodic faceting in GaAs(631) homoepitaxial growth

著者 (3件)： CRUZ-HERNANDEZ E. (Center for the Innovation and Application of Sci. and Technol. (CIACyT), Universidad Autonoma de San Luis Potosi ...) ,  SHIMOMURA S. (Graduate School of Sci. and Engineering, Ehime Univ., Matsuyama, Ehime 790-8577, JPN) ,  MENDEZ-GARCIA V. H. (Center for the Innovation and Application of Sci. and Technol. (CIACyT), Universidad Autonoma de San Luis Potosi ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 7  ページ： 073112-073112-4  発行年： 2012年08月13日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子ビームエピタクシーにより成長させたGaAs(631)A基板上での高次相関したナノスケールファセッティングの自己集合を報告する。成長温度とAsビーム等価圧力の関数として成長した試料の表面形態を原子間力顕微鏡法を使って調べた。2次元自己相関関数分析を行って,表面の波形の一様性を定量的に決定した。成長条件を最適化すると,1.7×1.7μm²と大きい相関したファセット面積が得られた。ここで論じた高度に規則化した表面波形から,量子細線の自己組織化成長を行う高度に規則化したファセット面を調製する有用な情報が得られた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *MBE成長 ,  *ファセット ,  *自己集合 ,  表面性状 ,  原子間力顕微鏡 ,  自己相関関数 ,  表面構造 ,  量子細線 ,  自己組織化
準シソーラス用語： *表面波形

分類 (1件)： 半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (8件)： GaAs ,  ホモ ,  エピタキシャル成長 ,  規則化 ,  自己集合 ,  ナノスケール ,  周期 ,  ファセッティング