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J-GLOBAL ID：201202219839549627   整理番号：12A1776500

AlGaN/GaN HFETにおけるRFチャネルブレークダウンの単純化した物理モデル

A Simplified Physical Model of RF Channel Breakdown in AlGaN/GaN HFETs

著者 (3件)： SCHIMIZZI Ryan D. (North Carolina State Univ., NC, USA) ,  TREW Robert J. (North Carolina State Univ., NC, USA) ,  BILBRO Griff L. (North Carolina State Univ., NC, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 11  ページ： 2973-2978  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaN HFETは大きな限界ブレークダウン電界による高いパワー密度と大きなチャネル電流を比時する能力を持っている。動作時には衝突イオン化がHFET内部で発生し,チャネルのブレークダウンがゲートブレークダウンよりも低くなってRF性能に大きな影響を与えている。AlGaN/GaN HFETの2DEGチャネルにおける衝突イオン化による温度依存RFブレークダウンモデルを報告する。内部デバイス挙動のTCAD調査に基づいてチャネルブレークダウンの解析的物理ベースモデルを作った。このモデルを既存の物理ベースHFETコンパクトモデルに集積し,大信号デバイス性能を正確に予測した。熱抵抗とブレークダウン温度係数の値をHFETシミュレーションで抽出し,モデルが主要なブレークダウンメカニズムを捉えていることを検証した。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  降伏 ,  衝突イオン化 ,  高周波増幅器 ,  モデリング ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  窒化ガリウム ,  モデル ,  電圧 ,  ヘテロ接合
準シソーラス用語： AlGaN ,  GaN ,  HFET ,  アバランシェブレークダウン ,  コンパクトモデル ,  *ブレークダウン電圧 ,  マイクロ波増幅器 ,  ヘテロ接合FET ,  半導体素子モデリング ,  *物理モデル

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： AlGaN ,  GaN ,  HFET ,  RF ,  チャネル ,  ブレークダウン ,  単純化 ,  物理モデル