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J-GLOBAL ID：201202220002346629   整理番号：12A1059439

緑色(In,Ga)N量子井戸ダイオードにおける放射再結合効率の順方向および逆バイアス依存

Forward and reverse bias dependence of radiative recombination efficiency in green (In,Ga)N quantum well diodes

著者 (6件)： SOEJIMA K. (Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN) ,  HORIGUCHI M. (Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN) ,  ONO K. (Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN) ,  JIMI H. (Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN) ,  SATAKE A. (Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN) ,  FUJIWARA K. (Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN)
資料名： Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures  (Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)
巻： 44  号： 7-8  ページ： 1278-1281  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： W1066A  ISSN： 1386-9477  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (7件)： 緑色 ,  Ga ,  量子井戸 ,  ダイオード ,  放射再結合 ,  順 ,  バイアス