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J-GLOBAL ID：201202220014410934   整理番号：12A1312021

SiO₂基板との相互作用及びvan der Waals力によって誘起されたグラフェン上のNO₂の物理吸着から化学吸着への遷移 第一原理研究

Physisorption to chemisorption transition of NO₂ on graphene induced by the interplay of SiO₂ substrate and van der Waals forces: A first principles study

著者 (3件)： DAI Jiayu (Dep. of Physics, Coll. of Sci., National Univ. of Defense Technol., Changsha 410073, People’s Republic of China) ,  YUAN Jianmin (Dep. of Physics, Coll. of Sci., National Univ. of Defense Technol., Changsha 410073, People’s Republic of China) ,  YUAN Jianmin (State key laboratory of high performance computing, National Univ. of Defense Technol., Changsha 410073, People’s ...)
資料名： Chemical Physics  (Chemical Physics)
巻： 405  ページ： 161-166  発行年： 2012年09月11日 
JST資料番号： D0167B  ISSN： 0301-0104  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *二酸化窒素 ,  物理吸着 ,  化学吸着 ,  *吸着 ,  二酸化ケイ素 ,  基板 ,  分子間相互作用 ,  van der Waals力 ,  *炭素材 ,  磁化 ,  スピン分極 ,  状態 ,  ガスセンサ ,  *グラフェン
準シソーラス用語： シリカ基板 ,  遷移

分類 (3件)： 固-気界面一般  (CB12041H) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  分子間相互作用  (BH07020P)

タイトルに関連する用語 (11件)： SiO2 ,  相互作用 ,  VAN ,  誘起 ,  グラフェン ,  NO2 ,  物理吸着 ,  化学吸着 ,  遷移 ,  第一原理 ,  研究