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J-GLOBAL ID：201202220066721369   整理番号：12A0863253

原子層蒸着ルテニウムのテクスチャ

Texture of atomic layer deposited ruthenium

著者 (10件)： MUSSCHOOT J. (Ghent Univ., Gent, BEL) ,  DEDUYTSCHE D. (Ghent Univ., Gent, BEL) ,  DE KEYSER K. (Ghent Univ., Gent, BEL) ,  LONGRIE D. (Ghent Univ., Gent, BEL) ,  HAEMERS J. (Ghent Univ., Gent, BEL) ,  VAN MEIRHAEGHE R.L. (Ghent Univ., Gent, BEL) ,  DETAVERNIER C. (Ghent Univ., Gent, BEL) ,  XIE Q. (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  VAN DEN BERGHE S. (SCK CEN, Mol, BEL) ,  D’HAEN J. (Hasselt Univ., Diepenbeek, BEL)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 87  号： 10  ページ： 1879-1883  発行年： 2010年10月 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (3件)： 原子層蒸着 ,  ルテニウム ,  テクスチャ