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J-GLOBAL ID：201202220540406135   整理番号：12A0507765

硫黄による不動態化したGaAs上の混合(TiO₂)_1-x(Y₂O₃)_xおよび(Ta₂O₅)_1-x(Y₂O₃)_x(0≦x≦1)ゲート誘電体の界面特性

Interface Properties of Mixed (TiO₂)_1-x(Y₂O₃)_x and (Ta₂O₅)_1-x(Y₂O₃)_x (0≦x≦1) Gate Dielectrics on Sulfur-Passivated GaAs

著者 (7件)： DAS T. (Indian Inst. of Technol., Kharagpur, IND) ,  MAHATA C. (Indian Inst. of Technol., Kharagpur, IND) ,  MALLIK S. (Indian Inst. of Technol., Kharagpur, IND) ,  VARMA S. (Inst. of Physics, Bhubaneswar, IND) ,  SUTRADHAR G. (Jadavpur Univ., Kolkata, IND) ,  BOSE P. K. (Jadavpur Univ., Kolkata, IND) ,  MAITI C. K. (Indian Inst. of Technol., Kharagpur, IND)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 159  号： 3  ページ： H323-H328  発行年： 2012年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高いk値の(Ta₂O₅)_1-x(Y₂O₃)_xおよび(TiO₂)_1-x(Y₂O₃)_x超薄膜を,高周波(RF)共スパッタリングにより,硫黄で不動態化したGaAs基板上で調製した。TiO₂およびTa₂O₅の導入により,Ga-OおよびAs-O結合形成を抑制した。Y₂O₃中のTiO₂およびTa₂O₅の混合は,積層の界面特性を改善した。表面または界面近くでのAsの酸化を制御でき,TiO₂はAs酸化の低減により効果的であることが分かった。超薄膜のバンドギャップを決定した。TiおよびTa量を操作して,全体の誘電体性能を最適化した。これにより,Y₂O₃膜およびそのGaAsとの界面の電気的性質に利点を与え,界面の低状態密度,ヒステリシスおよび漏れ電流による静電容量-電圧特徴の改善を達成した。

シソーラス用語： *酸化膜 ,  ゲート【半導体】 ,  絶縁膜 ,  誘電体薄膜 ,  *酸化チタン ,  *酸化イットリウム ,  *酸化タンタル ,  超薄膜 ,  RFスパッタリング ,  硫黄 ,  不動態化 ,  ヒ化ガリウム ,  基板 ,  X線光電子スペクトル ,  MOS構造 ,  *界面 ,  電流電圧特性 ,  バンドギャップ ,  最適化 ,  電気的性質 ,  ヒステリシス ,  漏れ電流 ,  静電容量 ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： *ゲート誘電体 ,  *固固界面 ,  高周波スパッタリング

分類 (5件)： 誘電体一般  (BM05010F) ,  固-固界面  (CB12060M) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： 硫黄 ,  不動態化 ,  GaAs ,  TiO2 ,  Y2O3 ,  Ta2O5 ,  ゲート誘電体 ,  界面特性