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J-GLOBAL ID：201202220576109137   整理番号：12A0416625

エピ層の貫通エッジ転位を伴うトポグラフィー解析による4H-SiC基板における基底面転位の特性化

Characterization of Basal Plane Dislocations in 4H-SiC Substrates by Topography Analysis of Threading Edge Dislocations in Epilayers

著者 (3件)： KAMATA I. (Central Res. Inst. Electric Power Ind. (CRIEPI), Kanagawa, JPN) ,  NAGANO M. (Central Res. Inst. Electric Power Ind. (CRIEPI), Kanagawa, JPN) ,  TSUCHIDA H. (Central Res. Inst. Electric Power Ind. (CRIEPI), Kanagawa, JPN)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 645/648  号： Pt.1  ページ： 303-306  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (7件)： エピ層 ,  エッジ転位 ,  トポグラフィー ,  解析 ,  4H-SiC ,  基底面転位 ,  特性化