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J-GLOBAL ID：201202220636657716   整理番号：12A1352254

3D NANDフラッシュメモリ用の垂直チャネル積層アレイ(VCSTAR)

Vertical-Channel STacked ARray (VCSTAR) for 3D NAND flash memory

著者 (5件)： PARK Se Hwan (Inter-University Semiconductor Res. Center (ISRC) and School of Electrical Engineering and Computer Sci., Seoul ...) ,  KIM Yoon (Inter-University Semiconductor Res. Center (ISRC) and School of Electrical Engineering and Computer Sci., Seoul ...) ,  KIM Wandong (Inter-University Semiconductor Res. Center (ISRC) and School of Electrical Engineering and Computer Sci., Seoul ...) ,  SEO Joo Yun (Inter-University Semiconductor Res. Center (ISRC) and School of Electrical Engineering and Computer Sci., Seoul ...) ,  PARK Byung-gook (Inter-University Semiconductor Res. Center (ISRC) and School of Electrical Engineering and Computer Sci., Seoul ...)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 78  ページ： 34-38  発行年： 2012年12月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい3次元(3D)NANDフラッシュメモリ,VCSTAR(垂直チャネル積層アレイ)を研究した。提案したデバイスは,セルチャネル長の収縮をせずに高メモリ密度を実現するために,積層ワード線を持った垂直チャネル構造である。超薄ボディ構造を使うことによって,VCSTARはオフ電流レベルを減らすことができ,VCSTARの平面セルはエッチスロープのようなプロセス変動に対する安定性を確実にした。設計した構造の性能を記述し,TCADシミュレーションを使うことによってデバイスパラメータの最適化を達成した。デバイス性能と製造しやすさを増すために,ゲート間の空間を減らすために修正した製造手法をも紹介した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *フラッシュメモリ ,  *垂直方向 ,  変動 ,  アレイ
準シソーラス用語： *3次元NANDフラッシュメモリー ,  NANDフラッシュメモリ ,  プロセス変動 ,  *積層型NAND

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 3D ,  NANDフラッシュメモリ ,  垂直チャネル ,  アレイ