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J-GLOBAL ID：201202220861651794   整理番号：12A1367512

分光偏光解析法を用いたHgCdTeの分子線エピタクシー成長温度のキャリブレーション

HgCdTe Molecular Beam Epitaxy Growth Temperature Calibration Using Spectroscopic Ellipsometry

著者 (4件)： VILELA M.F. (Raytheon Vision System (RVS), 75 Coromar Drive, 93117, Goleta, CA, USA) ,  PRIBIL G.K. (J. A. Woollam Co., Inc., 645 M St., suite 102, 68508, Lincoln, NE, USA) ,  OLSSON K.R. (Raytheon Vision System (RVS), 75 Coromar Drive, 93117, Goleta, CA, USA) ,  LOFGREEN D.D. (Raytheon Vision System (RVS), 75 Coromar Drive, 93117, Goleta, CA, USA)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 41  号： 10  ページ： 2937-2942  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では実際のテルル化カドミウム水銀の成長に先立って成長温度測定装置(熱電対および高温計)をキャリブレーションするための技術として分光偏光解析法(SE)を実証した。HgCdTeベースの材料成長のための分子線エピタクシー(MBE)における基板温度を制御するために高温計を使用した。HgCdTeに関して,非常に狭い最適成長温度範囲,典型的には±5°Cが存在することが知られている。非最適な成長温度は成長欠陥を誘発し,組成均一性を低減し,ドーピング取りこみ制御に困難さを引き起こし,不良な電子特性を促進し,そして他の悪影響を持つことによって材料品質に悪影響を与える可能性がある。ここで,筆者らは実際のHgCdTe成長に先立って分光偏光解析法(SE)を使用することにより測定し,基板温度測定装置をキャリブレーションするための方法を提示する。この方法は実装が容易で,非破壊かつ信頼性がある。提案の方法は関心のある温度範囲で良く知られている光学的性質を備えた表面材料を用いた1つの基板を必要とするが,必ずしも成長させる材料と同じ基材である必要はない。この研究の具体的なケースでは,筆者らはSi基板の上にエピタクシーCdTe材料を使用する。SEを使用することにより温度の関数としてその光学的性質のデータベースを作成するために,このウエハを使用した。収集した光学パラメータからモデルを構築し,収集したSEデータで適合を行った。次に,この特定のCdTe材料からの温度依存のSE測定値を適合することにより温度を決定することができる。時間にわたっての平均のラン-ツー-ラン角度変化と表面状態の変化を説明するために,角度オフセットと表面粗さパラメータをまたモデルに含める。本研究は絶対温度を得ようとするのでなく,むしろ信頼性があり,再現可能な相対温度測定を得ようとする。Copyright 2012 TMS Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *偏光解析法 ,  テルル化カドミウム水銀 ,  MBE成長 ,  *温度測定 ,  *キャリブレーション ,  テルル化カドミウム ,  パラメータ ,  モデリング ,  表面粗さ ,  ウエハ【IC】 ,  温度
準シソーラス用語： Si基板 ,  光学パラメータ ,  成長温度 ,  分光偏光解析法 ,  分子線エピタクシー成長

分類 (3件)： 金属の結晶成長  (BK13030M) ,  温度測定,温度計  (AD06010K) ,  偏光測定と偏光計  (BD07050K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 分光偏光解析法 ,  HgCdTe ,  分子線エピタクシー ,  成長温度 ,  キャリブレーション