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J-GLOBAL ID：201202221395413205   整理番号：12A0776600

ナフタレンジイミドベース高分子半導体:合成,構造-特性相関,及びn-チャンネル及び両極性電界効果トランジスタ

Naphthalene Diimide-Based Polymer Semiconductors: Synthesis, Structure-Property Correlations, and n-Channel and Ambipolar Field-Effect Transistors

著者 (5件)： GUO Xugang (Univ. Kentucky, Kentucky, USA) ,  KIM Felix Sunjoo (Univ. Washington, Washington, USA) ,  SEGER Mark J. (Univ. Kentucky, Kentucky, USA) ,  JENEKHE Samson A. (Univ. Washington, Washington, USA) ,  WATSON Mark D. (Univ. Kentucky, Kentucky, USA)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 24  号： 8  ページ： 1434-1442  発行年： 2012年04月24日 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 交互ドナー-アクセプタ共重合体半導体について検討した。ナフタレンジイミド(NDI)アクセプタ及び電子供与強度及び構造が異なるチオフェンからなる共重合体を合成した。NDIモノマ,2,6-ジブロモナフタレンジイミド(Br₂-NDI)を合成した。異なるアミンを使用したBr₂-NDIも合成した。異なる共役強度,異なる構造/形状/寸法,及び異なる電子供与能を有する八つのチオフェンベース誘導体を合成した。これらのBr₂-NDI/チオフェンベース誘導体からパラジウム触媒Stilleカップリング反応により,八つのNDIベース共重合体(P1~P8)を合成した。得られた共重合体の特性を,吸収スペクトル測定,サイクリックボルタンメトリー(CV)試験,広角X線回折(WAXD),形態の原子間力顕微鏡(AFM)観察などにより評価した。共重合体を使用した電界効果トランジスタ(FET)を構築し,電荷輸送特性などを試験した。検討の結果,本プロセスによるNDIベース共重合体においては,HOMOエネルギーレベルが-5.3eVから-5.9eVまで広い範囲で調節できること,また,高HOMOレベルのNDIベース共重合体は,高電子移動度(0.006-0.02cm²/(Vs))及び大きな正孔移動度(>10^-3cm²/(Vs))を有する有機FETにおける両極性電荷輸送を示すことなどが明らかになった。

シソーラス用語： 両極性拡散 ,  FET【トランジスタ】 ,  サイクリックボルタンメトリー ,  電気伝導 ,  キャリア移動度 ,  *酸イミド ,  *芳香族縮合化合物 ,  *硫黄複素環化合物 ,  *高分子半導体 ,  ドナー-アクセプタ対 ,  交互共重合体 ,  ドナー ,  共役 ,  パラジウム触媒 ,  交差カップリング反応 ,  吸収スペクトル ,  HOMO
準シソーラス用語： Stilleカップリング反応 ,  *チオフェン誘導体 ,  *ナフタレンジイミド類 ,  正孔移動度 ,  電荷輸送 ,  電子移動度 ,  電子供与体

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  共重合  (CG04030D)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高分子半導体 ,  構造-特性相関 ,  チャンネル ,  両極性 ,  電界効果トランジスタ