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J-GLOBAL ID：201202221804221909   整理番号：12A0871881

低温で成長したGeナノクラスタ埋込GeO_x膜に基づく金属-酸化物-半導体構造の記憶特性

Memory Characteristics of Metal-Oxide-Semiconductor Structures Based on Ge Nanoclusters-Embedded GeO_x Films Grown at Low Temperature

著者 (4件)： LIN Tzu-Shun (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  LOU Li-Ren (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  LEE Ching-Ting (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  TSAI Tai-Cheng (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 12  号： 3  ページ： 2076-2080  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Geナノクラスタ(NC)埋込GeO_x層を含むMOS(金属-絶縁体-半導体)構造デバイスをレーザ支援化学蒸着と低温事後熱アニーリングにより製作し,その電気的特性を調べた。デバイスの容量(C)-電圧(V)曲線には記憶効果を反映するヒステリシスループがGe-NCを含む試料にのみ現れた。また,いろいろな測定周波数で得たC-V特性には分散や伸張は観測されなかった。これらの結果から,堆積膜の欠陥や基板の界面状態は記憶性能に対して重要でなく,記憶効果はGe-NCにおける電荷蓄積に起因することが分かった。更にコンダクタンス(G)-V曲線に現れるGピークはGe-NCによる電荷の捕獲と放出に基づくエネルギー損失に関係する。C-時間特性の測定結果はこのデバイスの良好な電荷保持性能を示した。こうしてこのデバイスは記憶デバイス応用の候補になり得ることが示された。

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  *ナノクラスタ ,  埋込み【挿入】 ,  *酸化ゲルマニウム ,  ナノ複合材料 ,  *レーザCVD ,  *MOS構造 ,  記憶装置 ,  *容量電圧特性 ,  帯電 ,  *記憶効果
準シソーラス用語： MOSメモリ

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 低温 ,  成長 ,  Ge ,  ナノクラスタ ,  埋込 ,  酸化物 ,  記憶特性