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J-GLOBAL ID：201202222239617441   整理番号：12A0758728

6H-SiC(0001)基板のC表面上での立方晶SiC形成

Cubic SiC formation on the C-face of 6H-SiC (0001) substrates

著者 (4件)： VASILIAUSKAS Remigijus (Dep. of Physics, Chemistry and Biology, Linkoeping Univ., SE-581 83 Linkoeping, SWE) ,  JUILLAGUET Sandrine (CNRS and Univ. Montpellier 2, Lab. Charles Coulomb, cc074-GES, 34095 Montpellier cedex 5, FRA) ,  SYVAEJAERVI Mikael (Dep. of Physics, Chemistry and Biology, Linkoeping Univ., SE-581 83 Linkoeping, SWE) ,  YAKIMOVA Rositza (Dep. of Physics, Chemistry and Biology, Linkoeping Univ., SE-581 83 Linkoeping, SWE)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 348  号： 1  ページ： 91-96  発行年： 2012年06月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 名目上は軸上6H-SiC基板のSiとC表面上での立方晶SiC(111)の核生成とその後の成長について研究した。3C-SiCがC表面上に成長するとき,より一様の核と双晶境界分布が観測された。これは下方の臨界過飽和比に起因していた。ホモエピタキシャル6H-SiCらせん成長に関連したC表面の3C-SiC層中のピットとして現れる新しいタイプの欠陥を見出し,説明した。ホモエピタキシャル6H-SiCらせんが低くて最大の過飽和比のためにC表面の一面で成長しないのを,両極性面の成長駆動力の評価は示した。XRDのωロッキング特性評価はSi表面上に成長した3C-SiCのより良い構造的な品質を示した,しかしながら,C表面では,試料全体での一様性はより高かった。N(~10¹⁶cm^-3)による意図的でないドーピングはC表面でわずかに高かった,一方,Alドーピング(~10¹⁴cm^-3)は六方晶SiCポリタイプのドーピングに類似して成長材料のSi表面で高かった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  基板 ,  立方晶系 ,  核形成 ,  *半導体薄膜 ,  双晶境界 ,  欠陥 ,  X線回折 ,  ロッキングカーブ ,  *均一性 ,  *ドーピング ,  *真空蒸着
準シソーラス用語： 6H-SiC ,  核生成

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 6H-SiC ,  立方晶 ,  SiC