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J-GLOBAL ID：201202222296154776   整理番号：12A1767545

強誘電性トンネルメムリスタ

Ferroelectric Tunnel Memristor

著者 (7件)： KIM D. J. (Univ. Nebraska-Lincoln, Nebraska, USA) ,  LU H. (Univ. Nebraska-Lincoln, Nebraska, USA) ,  RYU S. (Univ. Wisconsin-Madison, Wisconsin, USA) ,  BARK C.-W. (Univ. Wisconsin-Madison, Wisconsin, USA) ,  EOM C.-B. (Univ. Wisconsin-Madison, Wisconsin, USA) ,  TSYMBAL E. Y. (Univ. Nebraska-Lincoln, Nebraska, USA) ,  GRUVERMAN A. (Univ. Nebraska-Lincoln, Nebraska, USA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 12  号： 11  ページ： 5697-5702  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金電極/コバルト/チタン酸バリウム/La_2/3Sr_1/3MnO₃/NdGaO₃ヘテロ構造素子を作製した。原子間力顕微鏡,RHEED,PFM,CFMによりキャラクタリゼーションを行った。電流電圧特性を測定した。7Vまでの電圧により印加電圧および印加時間に依存する10⁵までの可逆的な不揮発性抵抗変化スイッチングに起因するメムリスティブ挙動が観測された。原因として,強誘電体/金属間のトンネル接合の界面電荷再分布による界面障壁高の変化を考えた。

シソーラス用語： *金電極 ,  *チタン酸バリウム ,  *固溶体 ,  *酸化ストロンチウム ,  *酸化マンガン ,  *酸化ランタン ,  *ネオジム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *酸化物 ,  *積層構造 ,  原子間力顕微鏡 ,  RHEED ,  電流電圧特性 ,  可逆変化 ,  不揮発性メモリ ,  電気抵抗 ,  スイッチング ,  *トンネル接合 ,  界面 ,  ポテンシャル障壁 ,  電荷分布 ,  *回路部品 ,  *LSMO【化合物】 ,  固固界面 ,  混合酸化物
準シソーラス用語： コバルト電極 ,  *メモリスタ

分類 (3件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  固-固界面  (CB12060M)

タイトルに関連する用語 (3件)： 強誘電性 ,  トンネル ,  メムリスタ